Влияние флуктуаций состава на электронные свойства твердых растворов полупроводников

Аблязов Нурлан Насирович. Влияние флуктуаций состава на электронные свойства твердых растворов полупроводников : ил РГБ ОД 61:85-1/1867
Автор
Аблязов Нурлан Насирович
Год
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
Глава I. Плотность состоянии дырок в твердом растворе с вырожденной валентной зоной
1. Введение 26
2. Взаимодействие частицы с флуктуациями состава твердого раствора
3. Метод оптимальной флуктуации для невырожденной параболической зоны 34
4. Энергетический спектр валентной зоны на основе гамильтониана Латтинжера 38
5. Сдвиг вершины валентной зоны в случайном потенциале типа "белый шум" 41
6. Формулировка метода оптимальной флуктуации для вырожденной валентной зоны 45
7. Выражение для предэкспоненпиального множителя 50
Глава 2. Ширина линии экситонного поглощения в твердых растворах
1. Введение 52
2. Экситон в твердом растворе 55
3. Оценка ширины линии экситонного поглощения при больших длинах локализации 57
4. Оценка ширины линии при малых длинах локализации 61
5. Сравнение с экспериментом 64
Глава 3. Рассеяние электронов в бесщелевом полупроводнике
1. Введение 72
2. Метод парциальных волн 73
3. Рассеяние электрона на потенциальной яме . 78
4. Резонансы и их ширины 83
Глава 4. Влияние флуктуации состава на электронные свойства бесщелевых полупроводников. Флуктуационная модель бесщелевого полупроводника
1. Введение 88
2. Экспериментальные особенности бесщелевых твердых растворов и донорно-акцепторная модель бесщелевого полупроводника 91
3. Флуктуационная модель бесщелевого полупроводника 96
4. Концентрация остаточных электронов в рамках флуктуационной модели бесщелевого полупроводника с кейновским спектром 101
5. Вычисление подвижности электронов 104 -
6. Температурная зависимость уровня Ферми 108
7. Сравнение с экспериментом 109
Глава 5. Флуктуационная модель перехода бесщелевой полупроводник - нормальный полупроводник при всестороннем сжатии
1. Введение 112
2. Взаимодействие электрона с флуктуациями состава в узкощелевом полупроводнике , с кейновским спектром 114 -
3. Ширина дырочных флуктуавдонных уровней в узкощелевом полупроводнике с кейновским спектром 117
4. Положение уровня Ферми 121 -
5. Расчет подвижности электронов 122
6. Сравнение с экспериментальными данными . 126
Заключение 130
Приложения 133
Литература

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Агафонов Александр Иванович
Количество страниц
Год
99 000 UZS
Автор
Воробьев Юрий Васильевич
Количество страниц
Год
99 000 UZS
Автор
Воронин Игорь Николаевич
Количество страниц
Год
99 000 UZS
Автор
Баженов Николай Леонидович
Количество страниц
Год
99 000 UZS
Автор
Баранов Алексей Николаевич
Количество страниц
Год
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3