Введение
ГЛАВА 1. Молекулярно-лучевая эпитаксия соединений aimbv и твёрдых растворов на их основе 15
1.1. Исследование процесса роста соединений AmBv 15
1.1.1. Гомоэпитаксиальный рост на поверхности GaAs(001) 16
1.1.2. Экспериментальное исследование процесса роста твёрдых растворов (A^PxAs^x 25
1.1.3. Теоретическое исследование процесса роста соединений AmBv 37
1.2. Состав и структура поверхности (001) соединений AmBv 42
1.3. Фазовые диаграммы поверхности при МЛЭ 45
1.4. Использование различных молекулярных форм мышьяка и
фосфора для роста соединений A"BV 47
1.4.1 Влияние молекулярной формы мышьяка на рост и свойства
эпитаксиальных плёнок 48
1.4.2. Использование различных молекулярных форм фосфора при
МЛЭ 50
1.5. Методы контроля параметров роста при МЛЭ 53
1.5.1. Методы измерения температуры подложки 53
1.5.2. Методы измерения плотности молекулярных потоков 56
1.6. Выводы к главе 1 58
Глава 2. Контроль параметров роста и методы исследования ростовых процессов при млэ соединений A"BV 60
2.1. Установка МЛЭ 60
2.2. Получение потока молекул Р2 в установках МЛЭ 64
2.2.1. МИ фосфора открытого типа на основе термического разложения InP 66
2.2.2. Конструкция, принцип работы и результаты испытания источника фосфора вентильного типа на основе термического разложения InP 71
2.3. Предэпитаксиальная подготовка поверхностей GaAs(001) и 1пР(001) 75
2.4. Получение информации о структуре поверхности и ростовых процессах методом ДБЭО 79
2.5. Измерение температуры подложки 80
2.6. Определение плотности молекулярных потоков элементов V группы с использованием ионизационного манометрического преобразователя ПМИ-27 80
2.7. Выводы к главе 2 98
Глава 3. Экспериментальное исследование влияния Ts, JAS2, Jp2 И J,„ на встраивание мышьяка и фосфора при млэ твёрдых растворов (AVxAs^OOl) 100
3.1. Фазовые диаграммы поверхности (001) соединений AmBv, образующих твёрдые растворы (A^PxAs^ 100
3.2. Влияние JAS2, Jp2 и JGa на отношение SAS2/SP2 при МЛЭ твёрдого раствора GaPxAsi.x(001) ...107
3.3. Влияние Ts на отношение SAS2/Sp2 при МЛЭ твёрдого раствора GaPxAsi.x(001) 124
3.4. Влияние состава твёрдого раствора (A")PxAsi-x В подрешётке элементов III группы на отношение SAs2/Sp2 129
3.5. Обсуждение полученных результатов 139
3.6. Выводы к главе 3 146
Глава 4. Выращивание структур, содержащих слои твёрдых растворов (Am)PxAsi.x, методом МЛЭ 148
4.1. Выращивание структур с использованием молекулярного источника фосфора открытого типа на основе термического разложения InP с зоной крекинга 148
4.1.1. Выращивание одиночных слоев твёрдых растворов (Am)PxAsi.x
на GaAs(001) и 1пР(001) 149
4.1.2. Выращивание многослойных структур на основе слоев твёрдых растворов (A^PxAs^x 150
4.2. Использование молекулярного источника фосфора вентильного типа на основе термического разложения InP для выращивания структур со слоями твёрдых растворов (An,)PxAsi.x 156
4.3. Выводы к главе 4 167
Выводы по диссертации 168
Заключение 169
Список литературы 171
