Введение
Глава I. Исследование напряжений и деформаций в гетероструктурах (Литературный обзор).
1.1. Методы исследования напряжений и деформаций в гетероструктурах 16
I. I. I Причины деформации гетерокомпозиций 16
1.1.2. Методы определения упругих налряжений в гетеро-структурах 17
1.1.3. Методы исследования пластической деформации в гетероструктурах 22
1.2. Электронно-зондовые исследования деформированного
состояния гетероструктур 25
1.2.1. Применение метода Косселя для исследования кристаллического совершенства гетероструктур 25
1.2.2. Методы визуализации дефектов полупроводниковых гетероструктур в электронно-зондовом приборе.. 28
1.3. Результаты исследования упруго-пластической деформации в гетероструктурах на основе соединений
I.3I. Теоретические модели релаксации упругих напряжений в гетероструктурах . 29
1.3.2. Экспериментальные исследования аккомодации несоответствия постоянных решетки в гетероструктурах на основе соединений АВ 32
1.4. Выводы и постановка задачи 36
Глава 2. Комплекс методов исследования деформированного состояния в приборе .
2.1. Особенности деформированного состояния гетероструктур 40
2.2. Модели деформированного состояния гетерокомпозипий 42
2.3. Применение метода ШРП для определения параметров деформированного состояния гетероструктур 47
2.3.1. Выбор метода рентгеноструктурных исследований 47
2.3.2. Определение величины НПР методом ШРП 49
2.3.3. Точность метода определения величины несоответствия постоянных решетки 56
2.3.4. Определение параметров деформированного состояния ГС методом ШРП 62
2.3.5. Оцределение НРП свободного (недеформированного ) эпитаксиального слоя и подложки 69
2.3.6. Реализация метода ШРП в электронно-зондовом приборе и его экспериментальная проверка 70
2.4. Определение параметров деформированного состояния ГС в широком интервале температур 75
2.4.1. Определение различия КТР, термических напряжений и деформаций в ГС 77
2.4.2. Реализация метода ШРП в широком интервале температур в электронно-зондовом приборе 79
2.5. Рентгенотопографические исследования методом ШРП 81
2.6. Оцределение распределения постоянной решетки по толщине ГС методом ШРП 85
2.7. Заключение и выводы 88
Глава 3. Определение некоторых основных параметров материалов гетероструктур на основе соединений khb .
3.1. Основные кристаллографические параметры материалов полупроводниковых ГС 90
3.2. Определение постоянной решетки и КЕР твердых растворов Mx&ai-xP (0^2^1) 92
3.3. Определение концентрационной зависимости постоянной решетки твердых растворов MJhhlx
3.3.1. Экспериментальные результаты 100
3.3.2. Теоретическая модель . 104
3.4. Определение КГР материалов полупроводниковых гетероструктур 108
Глава 4. Определение параметров деформированного состояния полупроводниковых гетероструктур на основе соединений
4.1. Основные задачи исследований деформированного состояния полупроводниковых ГС 115
4.2. Типы деформированного состояния ГС 117
4.3. Результаты исследований деформированного состояния полупроводниковых ГС 119
4.3.1. Гетероструктуры, имеющие только напряжения несоответствия 119
4.3.2. Гетероструктуры в системах АЕВ5- GalP 124
4.3.3. Гетероструктуры на основе многокомпонентных твердых растворов 131
4.4. Соотношение упругой и пластической деформации в гетеро структурах на основе соединений А^ и их твердых растворов 136
4.5. Влияние термических напряжений на совершенство полупроводниковых ГС 147
Глава 5. Влияние деформированного состояния на люминесцентные свойства гетеростржгур на основе соединений
5.1. Механизмы рекомбинации носителей заряда в полупроводниковых гетероструктурах 149
5.2. Влияние деформированного состояния на квантовый выход излучательной рекомбинации в ГС на основе соединений
5.2.1. Внутренний квантовый выход в ДГС 151
5.2.2. Внешний квантовый выход и пороговые плотности тока лазеров в ДГС InP-falnAsP 156
5.3. Изучение рекомбинационной активности дислокаций несоответствия в ГС методом МЮІ 160
5.3.1. Существующие модели 160
5.3.2. Распределение интенсивности сигнала катодолюминесценции вблизи дислокации несоответствия 162
5.3.3. Зависимость контраста на дислокации от уровня возбуждения 166
5.4. Влияние упругой деформации на люминесцентные свойства ГС 170
Заключение 174
Список литературы
