Введение
1. Элементы энергонезависимой памяти на основе стеклообразных полупроводников 11
1.1. Свойства стеклообразных полупроводников как среды памяти 11
1.1.1. Фазовые состояния халькогенидных полупроводников 11
1.1.2. Структурные особенности стекла 22
1.1.3. Электрофизические свойства 30
1.2. Применение стеклообразных полупроводников в ячейках энергонезависимой памяти 39
1.2.1. Эффект переключения в стеклообразных полупроводниках 39
1.2.2. Применение ячеек памяти на основе ХСП в современных устройствах энергонезависимой памяти (PRAM) 43
1.3. Применение моделей молекулярной динамики для исследования фазовых трансформаций 47
1.3.1. Рост кристаллов из аморфной фазы 47
1.4. Постановка и обоснование задач исследования 49
2. Моделирование начальной стадии цикла записи -образования токового канала в среде, находящейся в стеклообразном состоянии 52
2.1. Механизм перколяционного пробоя 52
2.2. Построение модели модели перколяционного пробоя 55
2.3. Результаты численного расчета 63
2.4. Оценка возможности влияния заряда, в приконтактной области на высоту барьера и локализацию тока 73
2.5. Сравнение численных расчетов с экспериментальными данными 81
2.6. Выводы 86
3. Моделирование процессов при фазовых переходах с участием стеклообразного состояния 87
3.1. Моделирование переходов стекло-расплав, расплав-стекло 87
3.1.1. Построение модели 87
3.1.2. Результаты моделирования 89
3.2. Моделирование процесса кристаллизации 91
3.2.1. Построение модели 91
3.2.2.Результаты моделирования 95
3.3. Выводы 105
Заключение 106
Список опубликованных работ 108
Список литературы
