Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники

Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники - 67-989-0
Технология получения тонкопленочных структур для оптоэлектроники на основе опытной установки ионно-лучевого осаждения
Технология получения тонкопленочных структур для оптоэлектроники на основе опытной установки ионно-лучевого осаждения
99 000 UZS
Автор
Письменский Максим Васильевич
Количество страниц
Год
2006
Размерный эффект плавления тонких медных пленок и его использование для формирования межсоединений кремниевых СБИС
Размерный эффект плавления тонких медных пленок и его использование для формирования межсоединений кремниевых СБИС
99 000 UZS
Автор
Редичев Евгений Николаевич
Количество страниц
Год
2006
Исследование и разработка прогрессивной технологии прецизионных гибких полиимидных шлейфов для высокоплотного монтажа
Исследование и разработка прогрессивной технологии прецизионных гибких полиимидных шлейфов для высокоплотного монтажа
99 000 UZS
Автор
Семенин Сергей Николаевич
Количество страниц
Год
2006
Особенности кинетической ионно-электронной эмиссии с поверхности металлических и полупроводниковых пленочных материалов в процессе ионно-лучевого травления
Особенности кинетической ионно-электронной эмиссии с поверхности металлических и полупроводниковых пленочных материалов в процессе ионно-лучевого травления
99 000 UZS
Автор
Сергиенко Андрей Алексеевич
Количество страниц
Год
2006
Выращивание и исследование кристаллов сложных силикатов и германатов, легированных ионами Cr4+, для твердотельных лазеров
Выращивание и исследование кристаллов сложных силикатов и германатов, легированных ионами Cr4+, для твердотельных лазеров
99 000 UZS
Автор
Субботин Кирилл Анатольевич
Количество страниц
Год
2006
Протонообменные световодные структуры в кристаллах ниобата лития различного состава
Протонообменные световодные структуры в кристаллах ниобата лития различного состава
99 000 UZS
Автор
Фролова Марина Викторовна
Количество страниц
Год
2006
Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2, сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2, сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
99 000 UZS
Автор
Алтухов Андрей Александрович
Количество страниц
Год
2025
Реология ферритовых дисперсных систем и ее применение в технологии производства изделий магнитоэлектроники
Реология ферритовых дисперсных систем и ее применение в технологии производства изделий магнитоэлектроники
99 000 UZS
Автор
Андреев Валерий Георгиевич
Количество страниц
Год
2005
Конструктивно-технологические особенности создания пассивных акустоэлектронных приборов приемо-передающих устройств
Конструктивно-технологические особенности создания пассивных акустоэлектронных приборов приемо-передающих устройств
99 000 UZS
Автор
Багдасарян Сергей Александрович
Количество страниц
Год
2005
Разработка методов проектирования миниатюрных низковакуумных насосов для оборудования электронной техники
Разработка методов проектирования миниатюрных низковакуумных насосов для оборудования электронной техники
99 000 UZS
Автор
Ветров Владимир Алексеевич
Количество страниц
Год
2008
Разработка технологии массового производства радиационно стойких монокристаллических сцинтилляторов вольфрамата свинца
Разработка технологии массового производства радиационно стойких монокристаллических сцинтилляторов вольфрамата свинца
99 000 UZS
Автор
Анненков Александр Николаевич
Количество страниц
Год
2005
Физико-механические свойства кремниевых наноструктур как технологического материала микросистемной техники
Физико-механические свойства кремниевых наноструктур как технологического материала микросистемной техники
99 000 UZS
Автор
Залкинд Яков Григорьевич
Количество страниц
Год
2006
Основы создания и применения полупроводниковых элементов и микроэлектронных устройств интегральной теплоэлектроники
Основы создания и применения полупроводниковых элементов и микроэлектронных устройств интегральной теплоэлектроники
99 000 UZS
Автор
Громов Вячеслав Сергеевич
Количество страниц
Год
2006
Оптимизация активных элементов датчиков, использующих эффект гигантского комбинационного рассеяния
Оптимизация активных элементов датчиков, использующих эффект гигантского комбинационного рассеяния
99 000 UZS
Автор
Кощеев Сергей Владимирович
Количество страниц
Год
2006
Формирование и исследование свойств нитевидных нанокристаллов в матрице пористого анодного оксида алюминия
Формирование и исследование свойств нитевидных нанокристаллов в матрице пористого анодного оксида алюминия
99 000 UZS
Автор
Белов Алексей Николаевич
Количество страниц
Год
2005
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3