Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники

Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники - 67-989-0
Исследование эксплуатационных характеристик теплообменных систем оборудования полупроводникового производства
Исследование эксплуатационных характеристик теплообменных систем оборудования полупроводникового производства
99 000 UZS
Автор
Самойликов Роман Вячеславович
Количество страниц
Год
2004
Механизмы переноса носителей заряда в солнечных батареях на основе a-Si:H и его сплавов И c-Si
Механизмы переноса носителей заряда в солнечных батареях на основе a-Si:H и его сплавов И c-Si
99 000 UZS
Автор
Сизов Алексей Владимирович
Количество страниц
Год
2004
Исследование кристаллогенезиса полупроводников A^III B^V из висмутсодержащих расплавов (На примере InSbBi, AlInSbBi)
Исследование кристаллогенезиса полупроводников A^III B^V из висмутсодержащих расплавов (На примере InSbBi, AlInSbBi)
99 000 UZS
Автор
Баранник Алексей Анатольевич
Количество страниц
Год
2003
Формирование упорядоченных упаковок наносфер SiO_2 и применение структур на их основе в функциональной электронике
Формирование упорядоченных упаковок наносфер SiO_2 и применение структур на их основе в функциональной электронике
99 000 UZS
Автор
Гурьянов Андрей Валерьевич
Количество страниц
Год
2003
Исследование и разработка материалов пленочных сорбентов и структур интегральных сорбционно-емкостных сенсоров для измерения влажности технологических газов микроэлектроники
Исследование и разработка материалов пленочных сорбентов и структур интегральных сорбционно-емкостных сенсоров для измерения влажности технологических газов микроэлектроники
99 000 UZS
Автор
Копейкин Андрей Николаевич
Количество страниц
Год
2003
Моделирование технологически значимых процессов, определяющих термомиграцию жидких включений в полупроводниковых кристаллах
Моделирование технологически значимых процессов, определяющих термомиграцию жидких включений в полупроводниковых кристаллах
99 000 UZS
Автор
Малибашев Александр Владимирович
Количество страниц
Год
2003
Выращивание квазиоднородных слоев AlxGa1-xAs жидкофазной эпитаксией с подпиткой кристаллическим источником
Выращивание квазиоднородных слоев AlxGa1-xAs жидкофазной эпитаксией с подпиткой кристаллическим источником
99 000 UZS
Автор
Патаридзе Зураб Гивиевич
Количество страниц
Год
2003
Слоистые структуры на основе бактериородопсина: получение, строение и применение для элементов устройств обработки информации
Слоистые структуры на основе бактериородопсина: получение, строение и применение для элементов устройств обработки информации
99 000 UZS
Автор
Адамов Григорий Евгеньевич
Количество страниц
Год
2004
Исследование и моделирование функциональных и эксплуатационных характеристик приборов и оборудования для высокоточных температурных технологий
Исследование и моделирование функциональных и эксплуатационных характеристик приборов и оборудования для высокоточных температурных технологий
99 000 UZS
Автор
Тарасов Роман Юльевич
Количество страниц
Год
2003
Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероэпитаксиальных структур SiGe/Si
Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероэпитаксиальных структур SiGe/Si
99 000 UZS
Автор
Русаков Демьян Николаевич
Количество страниц
Год
2003
Разработка процесса получения ВТСП пленок для устройств функциональной электроники
Разработка процесса получения ВТСП пленок для устройств функциональной электроники
99 000 UZS
Автор
Рыжов Максим Вадимович
Количество страниц
Год
2003
Разработка и исследование метода высокотемпературного протонного обмена для формирования волноводных структур в кристаллах ниобата и танталата лития
Разработка и исследование метода высокотемпературного протонного обмена для формирования волноводных структур в кристаллах ниобата и танталата лития
99 000 UZS
Автор
Алкаев Александр Николаевич
Количество страниц
Год
2004
Исследования и разработка технологии изготовления PIN-фотодиодов на основе кремния с применением ионной имплантации
Исследования и разработка технологии изготовления PIN-фотодиодов на основе кремния с применением ионной имплантации
99 000 UZS
Автор
Болесов Игорь Анатольевич
Количество страниц
Год
2004
Фазовые равновесия в системах Cd-Te, Zn-Se-Cr, Zn-Se-Co
Фазовые равновесия в системах Cd-Te, Zn-Se-Cr, Zn-Se-Co
99 000 UZS
Автор
Зорин Андрей Владимирович
Количество страниц
Год
2003
Исследование конструктивно-технологических особенностей проектирования высокоизбирательных фильтров на поверхностных акустических волнах в условиях крупносерийного производства
Исследование конструктивно-технологических особенностей проектирования высокоизбирательных фильтров на поверхностных акустических волнах в условиях крупносерийного производства
99 000 UZS
Автор
Шермагина Елена Юрьевна
Количество страниц
Год
2003
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3