Твердотельная электроника

Твердотельная электроника - 67-989-0
Исследование и разработка конструктивно-технологических решений создания планарных мощных МОП-транзисторов с повышенным значением пробивного напряжения для интеллектуальных силовых интегральных схем
Исследование и разработка конструктивно-технологических решений создания планарных мощных МОП-транзисторов с повышенным значением пробивного напряжения для интеллектуальных силовых интегральных схем
99 000 UZS
Автор
Красюков Антон Юрьевич
Количество страниц
Год
2005
Проблемы проектирования интегральных тензопреобразователей давления на основе слоев поликристаллического кремния
Проблемы проектирования интегральных тензопреобразователей давления на основе слоев поликристаллического кремния
99 000 UZS
Автор
Любимский Владимир Михайлович
Количество страниц
Год
2005
Алгоритмы помехоустойчивой связи и элементная база для их реализации
Алгоритмы помехоустойчивой связи и элементная база для их реализации
99 000 UZS
Автор
Бирюков Петр Геннадьевич
Количество страниц
Год
2004
Формирование и исследование электрофизических свойств планарных структур на основе углеродных нанотрубок
Формирование и исследование электрофизических свойств планарных структур на основе углеродных нанотрубок
99 000 UZS
Автор
Бобринецкий Иван Иванович
Количество страниц
Год
2004
Разработка конструкций и технологий производства изделий знакосинтезирующей электроники
Разработка конструкций и технологий производства изделий знакосинтезирующей электроники
99 000 UZS
Автор
Кузьмин Николай Геннадьевич
Количество страниц
Год
2005
Формирование ленгмюровских монослоев и исследование возможности их применения
Формирование ленгмюровских монослоев и исследование возможности их применения
99 000 UZS
Автор
Глуховской, Евгений Геннадьевич
Количество страниц
Год
2004
Разработка эффективных сигма-дельта АЦП повышенной разрядности за счет снижения внутренних шумов
Разработка эффективных сигма-дельта АЦП повышенной разрядности за счет снижения внутренних шумов
99 000 UZS
Автор
Лаврентьев Максим Валерьевич
Количество страниц
Год
2005
Исследование закономерностей формирования и модификации волнообразного нанорельефа на кремнии и в тонких пленках на основе кристаллического и аморфного кремния
Исследование закономерностей формирования и модификации волнообразного нанорельефа на кремнии и в тонких пленках на основе кристаллического и аморфного кремния
99 000 UZS
Автор
Журавлев Иван Васильевич
Количество страниц
Год
2004
Экспериментальные исследования конкуренции мод и нелинейных эффектов в InGaAs/GaAs/InGaP гетеролазерах с комбинированными квантовыми ямами и с резонаторами различного типа
Экспериментальные исследования конкуренции мод и нелинейных эффектов в InGaAs/GaAs/InGaP гетеролазерах с комбинированными квантовыми ямами и с резонаторами различного типа
99 000 UZS
Автор
Некоркин Сергей Михайлович
Количество страниц
Год
2005
Нелинейно-оптическая диагностика сегнетоэлектрических тонких пленок и наноструктур для микроэлектроники
Нелинейно-оптическая диагностика сегнетоэлектрических тонких пленок и наноструктур для микроэлектроники
99 000 UZS
Автор
Шерстюк Наталия Эдуардовна
Количество страниц
Год
2022
Люминесцентные свойства структур на основе кремния в области длин волн 1,5-1,6 мкм
Люминесцентные свойства структур на основе кремния в области длин волн 1,5-1,6 мкм
99 000 UZS
Автор
Крыжков Денис Игоревич
Количество страниц
Год
2004
Рекристаллизация тонких поликремниевых пленок плоским электронным лучом
Рекристаллизация тонких поликремниевых пленок плоским электронным лучом
99 000 UZS
Автор
Горшков Виталий Валерьевич
Количество страниц
Год
2004
Разработка и исследование фотонно-стимулированных технологических процессов получения оксидных пленок кремния на SiC
Разработка и исследование фотонно-стимулированных технологических процессов получения оксидных пленок кремния на SiC
99 000 UZS
Автор
Кочеров Александр Николаевич
Количество страниц
Год
2004
Интегральные магниточувствительные матрицы для измерения параметров вектора индукции магнитного поля
Интегральные магниточувствительные матрицы для измерения параметров вектора индукции магнитного поля
99 000 UZS
Автор
Крупнов Юрий Анатольевич
Количество страниц
Год
2004
Физико-химические принципы конструирования газовых сенсоров на основе оксидов металлов и структур металл /твердый электролит/ полупроводник
Физико-химические принципы конструирования газовых сенсоров на основе оксидов металлов и структур металл /твердый электролит/ полупроводник
99 000 UZS
Автор
Васильев Алексей Андреевич
Количество страниц
Год
2004
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3