Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Кристаллическая структура и оптоэлектронные свойства кремниевых диодов со встроенными нанокристаллами полупроводниковой фазы дисилицида железа
Кристаллическая структура и оптоэлектронные свойства кремниевых диодов со встроенными нанокристаллами полупроводниковой фазы дисилицида железа
99 000 UZS
Автор
Шевлягин Александр Владимирович
Количество страниц
Год
2019
Моделирование ионно-лучевого легирования гетероструктур «кремний на сапфире» и облучения нейтронами гетероструктур с наноостровками Ge(Si)
Моделирование ионно-лучевого легирования гетероструктур «кремний на сапфире» и облучения нейтронами гетероструктур с наноостровками Ge(Si)
99 000 UZS
Автор
Скупов Антон Владимирович
Количество страниц
Год
2019
Релаксационные и резонансные переходы в ян-теллеровских центрах в кубических полупроводниках
Релаксационные и резонансные переходы в ян-теллеровских центрах в кубических полупроводниках
99 000 UZS
Автор
Барышников Кирилл Александрович
Количество страниц
Год
2017
Исследование механизмов изотермической кристаллизации в тонких аморфных пленках халькогенидного полупроводника Ge2Sb2Te5
Исследование механизмов изотермической кристаллизации в тонких аморфных пленках халькогенидного полупроводника Ge2Sb2Te5
99 000 UZS
Автор
Воробьев Юрий Владимирович
Количество страниц
Год
2018
Интерфейсные эффекты в электронном спектре ограниченных полупроводников и полуметаллов
Интерфейсные эффекты в электронном спектре ограниченных полупроводников и полуметаллов
99 000 UZS
Автор
Девизорова Жанна Алексеевна
Количество страниц
Год
2018
Особенности обменного взаимодействия и релаксации спина в разбавленных магнитных системах
Особенности обменного взаимодействия и релаксации спина в разбавленных магнитных системах
99 000 UZS
Автор
Крайнов Игорь Вадимович
Количество страниц
Год
2018
Спектр и динамика лазеров на модах шепчущей галереи и кольцевых лазеров
Спектр и динамика лазеров на модах шепчущей галереи и кольцевых лазеров
99 000 UZS
Автор
Донцов Антон Александрович
Количество страниц
Год
2018
Синтез, структура и электрофизические свойства пленочных материалов на основе селенида свинца
Синтез, структура и электрофизические свойства пленочных материалов на основе селенида свинца
99 000 UZS
Автор
Разина Алиса Геннадьевна
Количество страниц
Год
2018
Теория спиновых флуктуаций носителей заряда в полупроводниковых наноструктурах
Теория спиновых флуктуаций носителей заряда в полупроводниковых наноструктурах
99 000 UZS
Автор
Смирнов Дмитрий Сергеевич
Количество страниц
Год
2018
Формирование и модификация кремниевых светоизлучающих квантово-размерных наноструктур радиационными методами
Формирование и модификация кремниевых светоизлучающих квантово-размерных наноструктур радиационными методами
99 000 UZS
Автор
Черкова Светлана Глебовна
Количество страниц
Год
2018
Особенности пассивной синхронизации мод в полупроводниковых лазерах на наногетероструктурах
Особенности пассивной синхронизации мод в полупроводниковых лазерах на наногетероструктурах
99 000 UZS
Автор
Буяло Михаил Сергеевич
Количество страниц
Год
2017
Формирование, структура, оптические и фотоэлектрические свойства текстурированных плёнок BaSi2 на Si(111) и гетероструктур на их основе
Формирование, структура, оптические и фотоэлектрические свойства текстурированных плёнок BaSi2 на Si(111) и гетероструктур на их основе
99 000 UZS
Автор
Дубов Виктор Леонидович
Количество страниц
Год
2020
Исследование свойств полупроводниковых гетероструктур на основе соединений GaP(As,N) на подложках Si и GaP
Исследование свойств полупроводниковых гетероструктур на основе соединений GaP(As,N) на подложках Si и GaP
99 000 UZS
Автор
Лазаренко Александра Анатольевна
Количество страниц
Год
2020
Исследование механизма пассивации поверхности InAs(111)A фторсодержащими анодными слоями
Исследование механизма пассивации поверхности InAs(111)A фторсодержащими анодными слоями
99 000 UZS
Автор
Аксенов Максим Сергеевич
Количество страниц
Год
2019
Физико-химические свойства разбавленного магнитного полупроводника GaMnAs
Физико-химические свойства разбавленного магнитного полупроводника GaMnAs
99 000 UZS
Автор
Крюков Руслан Николаевич
Количество страниц
Год
2019
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3