Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Исследование состава самоорганизованных нанокластеров GexSi1-x/Si методом сканирующей оже-микроскопии
Исследование состава самоорганизованных нанокластеров GexSi1-x/Si методом сканирующей оже-микроскопии
99 000 UZS
Автор
Николичев Дмитрий Евгеньевич
Количество страниц
Год
2009
Диэлектрическая релаксация и процессы переключения в сегнетоэлектриках в быстронарастающих сильных электрических полях
Диэлектрическая релаксация и процессы переключения в сегнетоэлектриках в быстронарастающих сильных электрических полях
99 000 UZS
Автор
Агаларов Агалар Шахэмирович
Количество страниц
Год
2008
Электрофизические и излучательные процессы в пленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка
Электрофизические и излучательные процессы в пленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка
99 000 UZS
Автор
Сабитов Олег Юрьевич
Количество страниц
Год
2009
Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии, полученных методом эндотаксии, для создания чувствительных элементов бифункциональных датчиков температура-деформация
Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии, полученных методом эндотаксии, для создания чувствительных элементов бифункциональных датчиков температура-деформация
99 000 UZS
Автор
Сивакова Ксения Петровна
Количество страниц
Год
2009
Электропроводность тонких диэлектрических пленок с нанокристаллами кремния
Электропроводность тонких диэлектрических пленок с нанокристаллами кремния
99 000 UZS
Автор
Аржанникова София Андреевна
Количество страниц
Год
2008
Исследование физических процессов в гетероструктурах на основе нитрида галлия с квантовыми ямами
Исследование физических процессов в гетероструктурах на основе нитрида галлия с квантовыми ямами
99 000 UZS
Автор
Солонин Александр Павлович
Количество страниц
Год
2009
Морфологические свойства нано- и микроструктур, сформированных на подложках кристаллического и пористого кремния
Морфологические свойства нано- и микроструктур, сформированных на подложках кристаллического и пористого кремния
99 000 UZS
Автор
Горлачев Егор Сергеевич
Количество страниц
Год
2008
Исследование электронных и магнитных свойств многокомпонентного магнитного полупроводника CuFeS2
Исследование электронных и магнитных свойств многокомпонентного магнитного полупроводника CuFeS2
99 000 UZS
Автор
Хабибуллин Илдар Хайдарович
Количество страниц
Год
2009
Взаимодействие полупроводников и систем, содержащих наночастицы, с электромагнитным полем
Взаимодействие полупроводников и систем, содержащих наночастицы, с электромагнитным полем
99 000 UZS
Автор
Евлюхин Андрей Борисович
Количество страниц
Год
2008
Исследование квадрупольных эффектов в спектрах ЯМР 63Cu, 115In, 69Ga полупроводниковых соединений со структурой халькопирита
Исследование квадрупольных эффектов в спектрах ЯМР 63Cu, 115In, 69Ga полупроводниковых соединений со структурой халькопирита
99 000 UZS
Автор
Шмидт Екатерина Вадимовна
Количество страниц
Год
2009
Энергетическая и спиновая динамика носителей в полупроводниковых квантовых точках
Энергетическая и спиновая динамика носителей в полупроводниковых квантовых точках
99 000 UZS
Автор
Игнатьев Иван Владимирович
Количество страниц
Год
2008
Полупроводниковые самоорганизованные наноматериалы - нелинейные системы с фрактальной размерностью
Полупроводниковые самоорганизованные наноматериалы - нелинейные системы с фрактальной размерностью
99 000 UZS
Автор
Шмидт Наталия Михайловна
Количество страниц
Год
2009
Разработка базовых функциональных структур для детекторного модуля ионизирующих излучений
Разработка базовых функциональных структур для детекторного модуля ионизирующих излучений
99 000 UZS
Автор
Кацоев Леонид Витальевич
Количество страниц
Год
2008
Формирование тонких пленок и наноструктур в системе Mn/Si(111)
Формирование тонких пленок и наноструктур в системе Mn/Si(111)
99 000 UZS
Автор
Азатьян Сергей Геннадьевич
Количество страниц
Год
2008
Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля
Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля
99 000 UZS
Автор
Келбиханов Руслан Келбиханович
Количество страниц
Год
2008
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3