Технические науки

Технические науки - 67-0-0
Применение математического моделирования для анализа процессов теплообмена при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского в промышленных установках
Применение математического моделирования для анализа процессов теплообмена при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского в промышленных установках
99 000 UZS
Автор
Панфилов Игорь Владимирович
Количество страниц
Год
2002
Тонкие пленки углерода: выращивание пучками заряженных частиц, фазообразование, строение и свойства
Тонкие пленки углерода: выращивание пучками заряженных частиц, фазообразование, строение и свойства
99 000 UZS
Автор
Семенова Ирина Александровна
Количество страниц
Год
2024
Материаловедческие основы технологии получения термоэлектрических модулей из слитков твердых растворов Bi2 Te3-Bi2 Se3 и Bi2 Te3-Sb2 Te3 большого диаметра
Материаловедческие основы технологии получения термоэлектрических модулей из слитков твердых растворов Bi2 Te3-Bi2 Se3 и Bi2 Te3-Sb2 Te3 большого диаметра
99 000 UZS
Автор
Фролов Андрей Михайлович
Количество страниц
Год
2002
Повышение оперативности управления технологическим процессом получения подзатворного диэлектрика МДП-ИС
Повышение оперативности управления технологическим процессом получения подзатворного диэлектрика МДП-ИС
99 000 UZS
Автор
Чухраев Игорь Владимирович
Количество страниц
Год
2002
Фотопроводимость и плотность состояний в a-Si: H и сплавах на его основе
Фотопроводимость и плотность состояний в a-Si: H и сплавах на его основе
99 000 UZS
Автор
Горбулин Григорий Львович
Количество страниц
Год
2001
Закономерности формирования и свойства гетероструктур на основе неупорядоченных полупроводников
Закономерности формирования и свойства гетероструктур на основе неупорядоченных полупроводников
99 000 UZS
Автор
Шерченков Алексей Анатольевич
Количество страниц
Год
2002
Технология создания плоских микромодулей для приборов бесконтактной идентификации
Технология создания плоских микромодулей для приборов бесконтактной идентификации
99 000 UZS
Автор
Балабанов Владимир Тарасович
Количество страниц
Год
2008
Выращивание и исследование новых кристаллов сложных силикатов и германатов, легированных ионами Cr#24+#1, для твердотельных лазеров
Выращивание и исследование новых кристаллов сложных силикатов и германатов, легированных ионами Cr#24+#1, для твердотельных лазеров
99 000 UZS
Автор
Субботин Кирилл Анатольевич
Количество страниц
Год
2007
Синтез и исследование стекловидных диэлектрических материалов и пленок на их основе, полученных золь-гель методом
Синтез и исследование стекловидных диэлектрических материалов и пленок на их основе, полученных золь-гель методом
99 000 UZS
Автор
Дворников Сергей Александрович
Количество страниц
Год
2001
Метод управления процессами тепломассопереноса при выращивании кристаллов посредством изменения симметрии и вращения теплового поля
Метод управления процессами тепломассопереноса при выращивании кристаллов посредством изменения симметрии и вращения теплового поля
99 000 UZS
Автор
Кох Александр Егорович
Количество страниц
Год
2002
Исследование влияния неточности изготовления на дополнительные аберрации магнитных быстродействующих отклоняющих систем и квадрупольных линз
Исследование влияния неточности изготовления на дополнительные аберрации магнитных быстродействующих отклоняющих систем и квадрупольных линз
99 000 UZS
Автор
Зотова Милена Олеговна
Количество страниц
Год
2001
Исследование и разработка процессов подготовки поверхности кремниевых пластин при изготовлении структур кремний на изоляторе
Исследование и разработка процессов подготовки поверхности кремниевых пластин при изготовлении структур кремний на изоляторе
99 000 UZS
Автор
Калугин Виктор Владимирович
Количество страниц
Год
2001
Моделирование процесса пленкообразования на стадиях предварительной разработки оборудования электронной техники
Моделирование процесса пленкообразования на стадиях предварительной разработки оборудования электронной техники
99 000 UZS
Автор
Прусаков Евгений Викторович
Количество страниц
Год
2001
Использование нейтральных примесей, компенсированных основой, для производства монокристаллов кремния
Использование нейтральных примесей, компенсированных основой, для производства монокристаллов кремния
99 000 UZS
Автор
Лысенко Любовь Николаевна
Количество страниц
Год
2001
Выращивание и исследование сложных галлиевых гранатов ИСГГ: Cr: Nd, ГСГГ: Cr:Nd и ИСГГ: Cr: Ho: Yb для твердотельных лазеров
Выращивание и исследование сложных галлиевых гранатов ИСГГ: Cr: Nd, ГСГГ: Cr:Nd и ИСГГ: Cr: Ho: Yb для твердотельных лазеров
99 000 UZS
Автор
Студеникин Павел Алексеевич
Количество страниц
Год
2001
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3