Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Структуры металл - диэлектрик-полупроводник на основе арсенида индия
Структуры металл - диэлектрик-полупроводник на основе арсенида индия
99 000 UZS
Автор
Ковчавцев Анатолий Петрович
Количество страниц
Год
2003
Исследование нанокомпозитных металлополимерных слоев, синтезированных высокодозной имплантацией ионов 3d-элементов
Исследование нанокомпозитных металлополимерных слоев, синтезированных высокодозной имплантацией ионов 3d-элементов
99 000 UZS
Автор
Хабибуллина Наиля Рашидовна
Количество страниц
Год
2005
Газочувствительные полупроводниковые нанокомпозиты на основе диоксида олова, сформированные методами золь-гель технологии
Газочувствительные полупроводниковые нанокомпозиты на основе диоксида олова, сформированные методами золь-гель технологии
99 000 UZS
Автор
Максимов Александр Иванович
Количество страниц
Год
2005
Полупроводниковые приборы для быстрой коммутации больших мощностей и новые технологические методы их изготовления
Полупроводниковые приборы для быстрой коммутации больших мощностей и новые технологические методы их изготовления
99 000 UZS
Автор
Костина Людмила Серафимовна
Количество страниц
Год
2003
Исследование электронных свойств бесщелевых Cd(x)Hg(1-x)Te, HgTe, HgSe и узкощелевых (TlBiS2)x - (TlBiSe2)1-x полупроводников методом эффекта поля в системе полупроводник - электролит
Исследование электронных свойств бесщелевых Cd(x)Hg(1-x)Te, HgTe, HgSe и узкощелевых (TlBiS2)x - (TlBiSe2)1-x полупроводников методом эффекта поля в системе полупроводник - электролит
99 000 UZS
Автор
Шевченко Ольга Юрьевна
Количество страниц
Год
2005
Механизмы стабилизации фотолюминесценции квантоворазмерных структур на основе кремния и карбида кремния
Механизмы стабилизации фотолюминесценции квантоворазмерных структур на основе кремния и карбида кремния
99 000 UZS
Автор
Костишко Борис Михайлович
Количество страниц
Год
2003
Исследование физических процессов в P-I-N-гетероструктурах на основе органического полупроводника CuPc и неорганического полупроводника GaAs
Исследование физических процессов в P-I-N-гетероструктурах на основе органического полупроводника CuPc и неорганического полупроводника GaAs
99 000 UZS
Автор
Штрекерт Ольга Юрьевна
Количество страниц
Год
2005
Особенности структуры ионоимплантированных слоев кремния, выявленные с помощью рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения
Особенности структуры ионоимплантированных слоев кремния, выявленные с помощью рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения
99 000 UZS
Автор
Курипятник Андрей Валериевич
Количество страниц
Год
2003
Исследование влияния динамики и кинетики процессов самоорганизации структуры ступеней и островков псевдоморфных пленок на вицинальных поверхностях полупроводников
Исследование влияния динамики и кинетики процессов самоорганизации структуры ступеней и островков псевдоморфных пленок на вицинальных поверхностях полупроводников
99 000 UZS
Автор
Ланцова Ольга Юрьевна
Количество страниц
Год
2003
Размерные эффекты в мезоскопических квантовых системах
Размерные эффекты в мезоскопических квантовых системах
99 000 UZS
Автор
Махмудиан Махмуд Максуд
Количество страниц
Год
2003
Излучательная и безызлучательная рекомбинация в длинноволновых лазерных гетероструктурах пониженной размерности, выращенных на подложках GaAs
Излучательная и безызлучательная рекомбинация в длинноволновых лазерных гетероструктурах пониженной размерности, выращенных на подложках GaAs
99 000 UZS
Автор
Новиков Иннокентий Игоревич
Количество страниц
Год
2005
Пористые карбид кремния и нитрид галлия: получение, свойства и применение
Пористые карбид кремния и нитрид галлия: получение, свойства и применение
99 000 UZS
Автор
Мынбаева Марина Гелиевна
Количество страниц
Год
2003
Создание и исследование твердых растворов GaInAsSb и оптоэлектронных приборов на их основе
Создание и исследование твердых растворов GaInAsSb и оптоэлектронных приборов на их основе
99 000 UZS
Автор
Пархоменко Яна Александровна
Количество страниц
Год
2003
Резонансные акцепторные состояния в напряженных полупроводниках и полупроводниковых структурах
Резонансные акцепторные состояния в напряженных полупроводниках и полупроводниковых структурах
99 000 UZS
Автор
Прокофьев Алексей Анатольевич
Количество страниц
Год
2003
Энергетическая структура макромолекул и наноструктур
Энергетическая структура макромолекул и наноструктур
99 000 UZS
Автор
Петрушко Максим Игоревич
Количество страниц
Год
2003
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3