Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Разработка методов анализа влияния декогерентизации на качество квантовых преобразований, алгоритмов и измерений
Разработка методов анализа влияния декогерентизации на качество квантовых преобразований, алгоритмов и измерений
99 000 UZS
Автор
Бантыш Борис Игоревич
Количество страниц
Год
2018
Взаимодействие водорода с дислокационными сетками сращенных пластин кремния
Взаимодействие водорода с дислокационными сетками сращенных пластин кремния
99 000 UZS
Автор
Лошаченко Антон Сергеевич
Количество страниц
Год
2018
Моделирование формирования микро- и наноструктур при распылении материала фокусированным ионным пучком
Моделирование формирования микро- и наноструктур при распылении материала фокусированным ионным пучком
99 000 UZS
Автор
Румянцев Александр Владимирович
Количество страниц
Год
2018
Определение профиля концентрации основных носителей заряда в светоизлучающих и HEMT структурах с резко неоднородным легированием
Определение профиля концентрации основных носителей заряда в светоизлучающих и HEMT структурах с резко неоднородным легированием
99 000 UZS
Автор
Яковлев Георгий Евгеньевич
Количество страниц
Год
2018
Влияние условий формирования на особенности атомного строения и оптических свойств широкозонных полупроводниковых микро- и наноструктур МоО3 и MoS2
Влияние условий формирования на особенности атомного строения и оптических свойств широкозонных полупроводниковых микро- и наноструктур МоО3 и MoS2
99 000 UZS
Автор
Аль Хайлани Хассан Исмаил Дамбос
Количество страниц
Год
2019
Моделирование электронных состояний и оптических процессов в кремниевых наноструктурах
Моделирование электронных состояний и оптических процессов в кремниевых наноструктурах
99 000 UZS
Автор
Герт Антон Владимирович
Количество страниц
Год
2017
Фотоэлектрические и оптические свойства структур на основе аморфных и кристаллических кремниевых наночастиц
Фотоэлектрические и оптические свойства структур на основе аморфных и кристаллических кремниевых наночастиц
99 000 UZS
Автор
Кен Ольга Сергеевна
Количество страниц
Год
2017
Фазовые превращения и дефектообразование в кремнии при локальном поверхностном нагреве
Фазовые превращения и дефектообразование в кремнии при локальном поверхностном нагреве
99 000 UZS
Автор
Корячко Марина Валерьевна
Количество страниц
Год
2017
Взаимодействие элементарных возбуждений полупроводниковых наноструктур с акустическими и электромагнитными полями
Взаимодействие элементарных возбуждений полупроводниковых наноструктур с акустическими и электромагнитными полями
99 000 UZS
Автор
Ковалёв Вадим Михайлович
Количество страниц
Год
2017
Спектроскопия экситонов в гетероструктурах с квантовыми ямами в магнитном поле
Спектроскопия экситонов в гетероструктурах с квантовыми ямами в магнитном поле
99 000 UZS
Автор
Григорьев Филипп Сергеевич
Количество страниц
Год
2017
Свойства краевых и поверхностных состояний в дираковских материалах
Свойства краевых и поверхностных состояний в дираковских материалах
99 000 UZS
Автор
Еналдиев Владимир Викторович
Количество страниц
Год
2017
Полупроводниковый сульфид самария и тензорезисторы на его основе
Полупроводниковый сульфид самария и тензорезисторы на его основе
99 000 UZS
Автор
Молодых Анатолий Андреевич
Количество страниц
Год
2017
Эффекты атомарной структуры интерфейсов в полупроводниковых наносистемах
Эффекты атомарной структуры интерфейсов в полупроводниковых наносистемах
99 000 UZS
Автор
Нестоклон Михаил Олегович
Количество страниц
Год
2017
Влияние ян-теллеровских ионов на электронные и упругие свойства электро- и магнитоупорядоченных оксидов металлов
Влияние ян-теллеровских ионов на электронные и упругие свойства электро- и магнитоупорядоченных оксидов металлов
99 000 UZS
Автор
Семенников Антон Владимирович
Количество страниц
Год
2017
Оптическая динамика прямых и непрямых экситонов в полупроводниковых гетероструктурах
Оптическая динамика прямых и непрямых экситонов в полупроводниковых гетероструктурах
99 000 UZS
Автор
Михайлов Андрей Валерьевич
Количество страниц
Год
2017
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3