Твердотельная электроника

Твердотельная электроника - 67-989-0
Плёнки диоксида ванадия в устройствах индикаторной техники и микроэлектроники
Плёнки диоксида ванадия в устройствах индикаторной техники и микроэлектроники
99 000 UZS
Автор
Олейник Анатолий Семёнович
Количество страниц
Год
2004
Углеродные и неуглеродные наноматериалы и композитные структуры на их основе: строение и электронные свойства. Полуэмпирические исследования
Углеродные и неуглеродные наноматериалы и композитные структуры на их основе: строение и электронные свойства. Полуэмпирические исследования
99 000 UZS
Автор
Запороцкова Ирина Владимировна
Количество страниц
Год
2005
Влияние разупорядочения на характеристики сверхпроводниковых компонент квантовых приборов
Влияние разупорядочения на характеристики сверхпроводниковых компонент квантовых приборов
99 000 UZS
Автор
Семенихин Игорь Александрович
Количество страниц
Год
2004
Схемотехника и моделирование полупроводниковых структур мощных аналогов негатронов, дефензоров и автогенераторов на их основе
Схемотехника и моделирование полупроводниковых структур мощных аналогов негатронов, дефензоров и автогенераторов на их основе
99 000 UZS
Автор
Заруба Денис Владимирович
Количество страниц
Год
2005
Структура и транспортные свойства свободновисящих однослойных углеродных нанотрубок
Структура и транспортные свойства свободновисящих однослойных углеродных нанотрубок
99 000 UZS
Автор
Касумов Юсиф Алекберович
Количество страниц
Год
2005
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур ZnS-GaP
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур ZnS-GaP
99 000 UZS
Автор
Сусляков Юрий Васильевич
Количество страниц
Год
2004
Создание фотодиодов на основе InSb, PbTe и Cd_x Hg_1-x Te и анализ их функционирования в составе оптико-электронных систем
Создание фотодиодов на основе InSb, PbTe и Cd_x Hg_1-x Te и анализ их функционирования в составе оптико-электронных систем
99 000 UZS
Автор
Туринов Валерий Игнатьевич
Количество страниц
Год
2004
Плёнки диоксида ванадия в устройствах индикаторной техники и микроэлектроники
Плёнки диоксида ванадия в устройствах индикаторной техники и микроэлектроники
99 000 UZS
Автор
Олейник Анатолий Семёнович
Количество страниц
Год
2004
Резонансный магнитоэлектрический эффект в оксиде хрома и борате железа
Резонансный магнитоэлектрический эффект в оксиде хрома и борате железа
99 000 UZS
Автор
Никифоров Игорь Сергеевич
Количество страниц
Год
2004
Размерное травление кремния и диоксида кремния высокочастотным газовым тлеющим микроразрядом
Размерное травление кремния и диоксида кремния высокочастотным газовым тлеющим микроразрядом
99 000 UZS
Автор
Абрамова Елена Александровна
Количество страниц
Год
2003
Влияние миграции точечных дефектов на радиационную стойкость гетерофазного полупроводника
Влияние миграции точечных дефектов на радиационную стойкость гетерофазного полупроводника
99 000 UZS
Автор
Бухаров Владимир Эдуардович
Количество страниц
Год
2003
Свойства джозефсоновских переходов с прослойкой из сильно легированного аморфного кремния
Свойства джозефсоновских переходов с прослойкой из сильно легированного аморфного кремния
99 000 UZS
Автор
Гудков Александр Львович
Количество страниц
Год
2003
Цифровая обработка рентгенотопографических и поляризационно-оптических изображений дефектов структуры монокристаллов
Цифровая обработка рентгенотопографических и поляризационно-оптических изображений дефектов структуры монокристаллов
99 000 UZS
Автор
Дроздов Юрий Александрович
Количество страниц
Год
2003
Разработка магнитоэлектрических датчиков магнитного поля и СВЧ мощности на основе композиционных материалов
Разработка магнитоэлектрических датчиков магнитного поля и СВЧ мощности на основе композиционных материалов
99 000 UZS
Автор
Килиба Юрий Владимирович
Количество страниц
Год
2003
Исследование акустического переноса зарядов в гетероструктурах на основе арсенида галлия
Исследование акустического переноса зарядов в гетероструктурах на основе арсенида галлия
99 000 UZS
Автор
Егоркин Владимир Ильич
Количество страниц
Год
2003
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3