Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Электронно-энергетическое строение и фазовый состав аморфных нанокомпозитных пленок a-SiOx–a-Si:H
Электронно-энергетическое строение и фазовый состав аморфных нанокомпозитных пленок a-SiOx–a-Si:H
99 000 UZS
Автор
Паринова Елена Владимировна
Количество страниц
Год
2016
Синтез и оптические свойства метаматериалов на основе пористых полупроводников А3В5 и Si
Синтез и оптические свойства метаматериалов на основе пористых полупроводников А3В5 и Si
99 000 UZS
Автор
Атращенко Александр Васильевич
Количество страниц
Год
2016
Полупроводящие модифицированные структуры на основе углеродных нанотрубок
Полупроводящие модифицированные структуры на основе углеродных нанотрубок
99 000 UZS
Автор
Запороцкий Павел Александрович
Количество страниц
Год
2016
Локализация фононов и фонон-плазмонное взаимодействие в полупроводниковых наноструктурах
Локализация фононов и фонон-плазмонное взаимодействие в полупроводниковых наноструктурах
99 000 UZS
Автор
Володин Владимир Алексеевич
Количество страниц
Год
2017
Физические основы получения анизотропных твердых растворов халькогенидов висмута и сурьмы модифицированным методом Бриджмена и формирования термоэлементов на их основе
Физические основы получения анизотропных твердых растворов халькогенидов висмута и сурьмы модифицированным методом Бриджмена и формирования термоэлементов на их основе
99 000 UZS
Автор
Воронин Андрей Игоревич
Количество страниц
Год
2017
Гетероструктуры для светодиодов видимого диапазона и транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе квантоворазмерных слоев InGaN, InAlN и короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN
Гетероструктуры для светодиодов видимого диапазона и транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе квантоворазмерных слоев InGaN, InAlN и короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN
99 000 UZS
Автор
Усов Сергей Олегович
Количество страниц
Год
2016
Влияние условий синтеза нанокристаллического диоксида титана на природу и параметры спиновых центров
Влияние условий синтеза нанокристаллического диоксида титана на природу и параметры спиновых центров
99 000 UZS
Автор
Ле Николай Тханевич
Количество страниц
Год
2017
Мощные ультрафиолетовые светоизлучающие диоды: характеристики и использование для контроля загрязнения воды
Мощные ультрафиолетовые светоизлучающие диоды: характеристики и использование для контроля загрязнения воды
99 000 UZS
Автор
Шамирзаев Владимир Тимурович
Количество страниц
Год
2016
Структура и свойства поверхностных реконструкций Si(111)33-Bi и Si(111)33-Au, модифицированных атомами металлов
Структура и свойства поверхностных реконструкций Si(111)33-Bi и Si(111)33-Au, модифицированных атомами металлов
99 000 UZS
Автор
Яковлев Алексей Андреевич
Количество страниц
Год
2016
Переходы плато-плато квантового эффекта Холла в полупроводниковых наноструктурах на основе арсенида галлия и индия
Переходы плато-плато квантового эффекта Холла в полупроводниковых наноструктурах на основе арсенида галлия и индия
99 000 UZS
Автор
Клепикова Анна Сергеевна
Количество страниц
Год
2016
Фотостимулированные процессы в кристаллах CdS1-xSex, легированных рубидием
Фотостимулированные процессы в кристаллах CdS1-xSex, легированных рубидием
99 000 UZS
Автор
Али Рафик Мохамед Кассим
Количество страниц
Год
2015
Особенности нелинейного поглощения при резонансном одно- и двухфотонном возбуждении экситонов в коллоидных квантовых точках CdSe/ZnS
Особенности нелинейного поглощения при резонансном одно- и двухфотонном возбуждении экситонов в коллоидных квантовых точках CdSe/ZnS
99 000 UZS
Автор
Козлова Мария Владимировна
Количество страниц
Год
2022
Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащих слои разбавленного магнитного полупроводника
Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащих слои разбавленного магнитного полупроводника
99 000 UZS
Автор
Малышева Евгения Игоревна
Количество страниц
Год
2016
Оптические и фотоэлектрические свойства композитных структур на основе пористой матрицы SnO2 и гетероэпитаксиальных нанокристаллов CdSe/CdS
Оптические и фотоэлектрические свойства композитных структур на основе пористой матрицы SnO2 и гетероэпитаксиальных нанокристаллов CdSe/CdS
99 000 UZS
Автор
Дроздов Константин Андреевич
Количество страниц
Год
2015
Эффекты структурной неустойчивости узкощелевых полупроводников Pb1-xMexS и Pb1-xMexTe (Me – Mn, Gd) с неоднородным распределением марганца и гадолиния
Эффекты структурной неустойчивости узкощелевых полупроводников Pb1-xMexS и Pb1-xMexTe (Me – Mn, Gd) с неоднородным распределением марганца и гадолиния
99 000 UZS
Автор
Зайнуллин Радик Рустэмович
Количество страниц
Год
2015
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3