Введение
ГЛАВА I. Особенности процессов намагничивания микрообъектов и их применение в электронных устройствах
1.1. Коэрцитивное намагничивание тонкопленочных аппликаций 16
1.2. Микроэлектронные ферродатчики магнитного поля 20
1.3. Развитие конструкций элементов управления ЦМД на основе пермаллоевых аппликаций 23
1.4. Методы исследования элементной базы каналов продвижения ЦМД 38
1.5. Проблема сужения ОУР канала продвижения, пересеченного токовыми шинами 45
1.6. Разработка логических устройств на основе взаимодействия магнитных микрообъектов... 52
ГЛАВА II. Экспериментальные методы исследования процессов намагничивания и характеристик взаимодействия магнитных микрообъектов .
2.1. Магнитооптические методы исследования намагничивания микрочастиц и их массивов на основе эффектов Керра и Фарадея 59
2.2. Определение профиля потенциальной ямы взаимодействия двух взаимно намагничивающих объектов 62
2.3. Распределение z-компоненты поля размагничивания в окрестности намагниченной аппликации 73
2.4. Измерение кривых намагничивания аппликаций по изменению величины поля коллапса ЦМД 84
2.5. Замыкание магнитного потока в аппликациях сложной формы 90
ГЛАВА III. Управление гистерезисными свойствами магнитных микроэлементов в электронных устройствах
3.1. Влияние размеров и расположения прямоугольных аппликаций
на форму и параметры петли гистерезиса массива аппликаций 95
3.2. Перезаписываемый-кодоноситель для идентификации объектов 104
3.3. Запоминающий датчик магнитного поля 106
3.4. Применение коэрцитивных свойств свойств аппликаций для измерения слабого магнитного поля 108
3.5. Бескоэрцитивный линейный магниторезистивный датчик % магнитного поля 111
3.6. Магнитомягкие кантилеверы для магнитной силовой микроскопии 114
3.7. Тонкопленочный датчик для считывания ЦМД 117
ГЛАВА IV. Управляющие СТРУКТУРЫ НМД на основе асимметричных шевронов
4.1 Влияние асимметрии аппликаций на характеристики канала продвижения ЦМД 119
4.2. Влияние литографического искажения формы шевронов на характеристики каналов продвижения ЦМД 139
4.3. Оптимальная форма шеврона для пермаллоевого канала продвижения 142
4.4. Влияние величины спейсера на характеристики каналов продвижения ЦМД 149
4.5. Технология самосовмещения для ЗУ ЦМД с плотностью записи 4 М/см 155
4.6. Оптимизация технологических параметров изготовления ЗУ ЦМД большой емкости по статистическим данным контроля микросхем 160
ГЛАВА V. Двухслойные управляющие структуры для ЗУ ІГМД
5.1. Двухслойный канал продвижения ЦМД 167
5.2. Повороты и свертки на основе двухслойных элементов 175
5.3. Периферийные функциональные узлы ЗУ на основе аппликаций в двух слоях 181
5.4. Сужение ОУР пересеченного канала продвижения 190
ГЛАВА VI. Влияние механического напряжения на поведение доменной структуры в эпитаксиальных Феррит-гранатовых пленках
6.1. Проявления обратного магнитострикционного эффекта в
пересеченных каналах продвижения ЦМД 198
6.2. Механизмы взаимодействия домена с полем неоднородного механического напряжения 202
6.3. Анизотропные свойства взаимодействия домена с полем механического напряжения в ЭФГП 212
6.4. Способы управления магнитострикционными эффектами 220
ГЛАВА VII. Домен-доменное взаимодействие в запоминающих и логических устройствах на ЦМД .
7.1. Влияние формы и расположения аппликаций в каналах продвижения на домен-доменное взаимодействие 226
7.2. Повышение надежности ЗУ ЦМД с помощью встроенных логических узлов : 231
7.3. Логические функции ИЛИ на основе домен-доменного взаимодействия 234
7.4. Логическая функция И, сумматор на основе домен-доменного взаимодействия 239
7.5. Общая структурная схема и топология магнитного нейрокомпьютера 243
Заключение 249
Литература
