МДП-структуры на основе антимонида индия в сильном электрическом поле

Вайнер Борис Григорьевич. МДП-структуры на основе антимонида индия в сильном электрическом поле : ил РГБ ОД 61:85-1/1863
Автор
Вайнер Борис Григорьевич
Год

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Влияние флуктуаций состава на электронные свойства твердых растворов полупроводников
99 000 UZS
Автор
Аблязов Нурлан Насирович
Количество страниц
Год
Перенос заряда в аморфных диэлектрических слоях структур металл-диэлектрик-полупроводник в сильных электрических полях
99 000 UZS
Автор
Агафонов Александр Иванович
Количество страниц
Год
Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках
99 000 UZS
Автор
Воробьев Юрий Васильевич
Количество страниц
Год
Динамические процессы в полупроводниках с мелкими донорами в условиях примесного пробоя
99 000 UZS
Автор
Воронин Игорь Николаевич
Количество страниц
Год
Исследование механизмов рекомбинации в CdxHg1-xTe
99 000 UZS
Автор
Баженов Николай Леонидович
Количество страниц
Год
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3