Моделирование малосигнальных параметров мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов с вертикальной и горизонтальной структурой

Меньшиков Павел Александрович. Моделирование малосигнальных параметров мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов с вертикальной и горизонтальной структурой : Дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 : Воронеж, 2004 113 c. РГБ ОД, 61:05-5/1550
Автор
Меньшиков Павел Александрович
Год
2004

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Конструкция, технология и теплофизические свойства кристаллов датчиков газов в микроэлектронном исполнении
99 000 UZS
Автор
Викин Олег Геннадьевич
Количество страниц
Год
2004
Разработка конструкции и технологии микрополосковых плат для бесфлюсовой сборки ГИС СВЧ с высокой воспроизводимостью параметров и надежностью изделий
99 000 UZS
Автор
Климачёв Иван Иванович
Количество страниц
Год
2004
Разработка способов оптимизации технологии металлизации полупроводниковых структур
99 000 UZS
Автор
Гукетлов Хасан Мухамедович
Количество страниц
Год
2004
Импедансные свойства и характеристики варакторных полупроводниковых структур
99 000 UZS
Автор
Поляков Михаил Юрьевич
Количество страниц
Год
2000
Исследование миграции атомов кристаллической решетки при ионно-лучевой обработке полупроводников
99 000 UZS
Автор
Серба, Павел Викторович
Количество страниц
Год
2000
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3