Введение
Глава 1. Полупроводниковые лазеры на основе квантово-размерных гетероструктур раздельного ограничения. InGaAs/GaAs/AlGaAs и основные причины насыщения их мощностных характеристик (обзор литературы) 9
1.1. Мощные лазеры с InGaAs активной областью 9
1.2. Эффекты, ограничивающие максимальную мощность излучения лазерного диода 19
Выводы к главе 1 26
Глава 2. Исследование лазеров на основе InGaAs/GaAs гетероструктур при высоких уровнях токовой накачки 28
2.1. Изготовление образцов и методы проведения исследования 28
2.1.1. Метод изготовления образцов 28
2.1.2. Методика измерения ватт-амперных характеристик 36
2.1.3. Методика измерения спектральных характеристик 38
2.2. Исследование ватт-амперных характеристик 41
2.3. Исследование спектральных характеристик 42
2.4. Сравнение мощностных и спектральных характеристик. Токовые утечки в волноводном слое 45
Выводы к главе 2 52
Глава 3. Теоретические оценки роста концентрации электронов в активной области гетеролазера 54
3.1. Время рассеяния энергии носителей тока и время жизни стимулированных излучательных переходов в активной области 54
3.2. Зависимости концентрации и температуры электронов от плотности тока в случае спонтанного излучения 57
3.3 Зависимости концентрации и температуры электронов от плотности тока в случае стимулированного излучения 65
Выводы к главе 3 72
Глава 4. Исследование лазеров на основе InP (Я = 1.5-1.8 мкм) при высоких уровнях накачки. Гетероструктура с двумя электронными уровнями и исследование лазеров на её основе 73
4.1. Насыщение мощностных характеристик лазеров на основе InP... 73
4.1.1. Исследование импульсных ватт-амперных характеристик лазеров на основе InP 74
4.1.2. Исследование импульсных спектральных характеристик лазеров на основе InP 76
4.1.3. Экспериментальные исследования концентрации носителей заряда в активной области за порогом генерации лазеров на основе GaAs и InP 83
4.2. Конструкция гетероструктуры с двумя линиями генерации и лазеры на её основе 89
4.2.1. Определение параметров гетероструктуры с двумя электронными уровнями 90
4.2.2. Ватт-амперная характеристика лазерных диодов с толщиной активной области 10 нм 93
4.2.3. Спектральные характеристики лазерных диодов. Двухполосная генерация 96
4.3. Достижение максимальной мощности и исследование угловых характеристик гетеролазеров с толщиной квантовой ямы 10 нм... 98
Выводы к главе 4 104
Заключение 106
Литература
