Введение
Глава I. Обзор литературы 11.
1.1.О взаимосвязи электронной и магнитной подсистем в ФП и её использование в современных наш- и гетеросистемах 11
1.2. Необходимые свойства материалов-партнеров для создания идеальных гетеросистем на основе ферромагнитных полупроводников 16
1.3. Методы расчета туннельной прозрачности 19
Глава II. Резонансное и нерезонансное туннелирование в гетеросистемах на основе ФП 26
2.1. Энергетические диаграммы гетеропереходов 27
2.2. Определение туннельной прозрачности в приближении «периодических рассеивателей» 32
2.3. Определение туннельной прозрачности в приближении «узкой зоны» 38
2.4. Учет влияния флуктуации магнитного порядка на туннельную прозрачность гетероструктур на основе магнитных полупроводников 43
Глава III. Анализ транспортных свойств гетероструктур EitS-PbS и EuS- SniS в приближении полуэмпирического метода сильной связи 51
3.1. Определение матричных элементов в методе ЛКАО при описании зонной структуры полупроводников, составляющих гетеросистему 52
3.2. Описание гетероструктур в методе ЛКАО 59
3.3. Транспортные свойства гетероструктур в рамках многозонной модели 66
Глава IV. Влияние туниелирования по интерфейсным и состояниям гетеропереходов на туннельную прозрачность гетероструктур 70
4.1. Резонансное туннелирование в сверхрешетках, расчет в рамках формализма вторичного квантования 71
4.2. Анализ влияния локализованных состояний на прозрачность гетеробарьеров методом функций Грина 80
4.3. Учет влияния инверсионных состояний на туннельную прозрачность и вид дисперсионных кривых Е(к) 90
Заключение 104
Библиографический список использованной литературы
