Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Оптические и электрические свойства систем, содержащих ансамбли кремниевых нанокристаллов
Оптические и электрические свойства систем, содержащих ансамбли кремниевых нанокристаллов
99 000 UZS
Автор
Форш Павел Анатольевич
Количество страниц
Год
2014
Матричный метод расчета магнитных характеристик иона кобальта
Матричный метод расчета магнитных характеристик иона кобальта
99 000 UZS
Автор
Гончаров, Евгений Олегович
Количество страниц
Год
2013
Электронное строение и размерные свойства углеродных нанотрубок малых диаметров
Электронное строение и размерные свойства углеродных нанотрубок малых диаметров
99 000 UZS
Автор
Ганин, Александр Андреевич
Количество страниц
Год
2013
Оптическая анизотропия поверхностей (001) GaAs и InAs
Оптическая анизотропия поверхностей (001) GaAs и InAs
99 000 UZS
Автор
Гордеева, Анастасия Борисовна
Количество страниц
Год
2013
Генерационные характеристики лазеров с вертикальным резонатором на основе гетероструктур InGaAs-AlGaAs
Генерационные характеристики лазеров с вертикальным резонатором на основе гетероструктур InGaAs-AlGaAs
99 000 UZS
Автор
Деребезов, Илья Александрович
Количество страниц
Год
2013
Влияние возбужденных и волноводных энергетических состояний на характеристики лазеров с квантоворазмерной активной областью
Влияние возбужденных и волноводных энергетических состояний на характеристики лазеров с квантоворазмерной активной областью
99 000 UZS
Автор
Зубов, Федор Иванович
Количество страниц
Год
2013
Формирование террасированных поверхностей арсенида галлия в равновесных условиях
Формирование террасированных поверхностей арсенида галлия в равновесных условиях
99 000 UZS
Автор
Ахундов, Игорь Олегович
Количество страниц
Год
2013
Излучательные, электрические, и магнитные свойства арсенид-галлиевых структур, дельта-легированных марганцем
Излучательные, электрические, и магнитные свойства арсенид-галлиевых структур, дельта-легированных марганцем
99 000 UZS
Автор
Калентьева Ирина Леонидовна
Количество страниц
Год
2017
Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества
Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества
99 000 UZS
Автор
Барановский, Максим Владимирович
Количество страниц
Год
2013
Электронно-тепловая модель эффектов переключения и памяти, основанная на многофононной туннельной ионизации U-минус центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
Электронно-тепловая модель эффектов переключения и памяти, основанная на многофононной туннельной ионизации U-минус центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
99 000 UZS
Автор
Богословский, Никита Александрович
Количество страниц
Год
2013
Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах
Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах
99 000 UZS
Автор
Бугров, Владислав Евгеньевич
Количество страниц
Год
2013
Оптический отклик открытых полупроводниковых квантовых точек
Оптический отклик открытых полупроводниковых квантовых точек
99 000 UZS
Автор
Королев, Никита Викторович
Количество страниц
Год
2013
Рост и дефектообразование монокристаллов полупроводникового карбида кремния, выращенного по методу ЛЭТИ
Рост и дефектообразование монокристаллов полупроводникового карбида кремния, выращенного по методу ЛЭТИ
99 000 UZS
Автор
Лебедев, Андрей Олегович
Количество страниц
Год
2013
Особенности развития деградации внешней квантовой эффективности мощных синих светодиодов на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур
Особенности развития деградации внешней квантовой эффективности мощных синих светодиодов на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур
99 000 UZS
Автор
Черняков Антон Евгеньевич
Количество страниц
Год
2014
Технология и оптические свойства фотонно-кристаллических структур на основе макропористого кремния
Технология и оптические свойства фотонно-кристаллических структур на основе макропористого кремния
99 000 UZS
Автор
Ли, Галина Викторовна
Количество страниц
Год
2013
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3