Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Оптические явления, связанные с локализованными и резонансными состояниями в полупроводниковых структурах
Оптические явления, связанные с локализованными и резонансными состояниями в полупроводниковых структурах
99 000 UZS
Автор
Софронов Антон Николаевич
Количество страниц
Год
2010
Люминесценция и поглощение излучения среднего ИК диапазона в наноструктурах с квантовыми ямами в условиях разогрева носителей заряда
Люминесценция и поглощение излучения среднего ИК диапазона в наноструктурах с квантовыми ямами в условиях разогрева носителей заряда
99 000 UZS
Автор
Тхумронгсилапа Папхави
Количество страниц
Год
2010
Влияние структурных особенностей на физические свойства редкоземельных полупроводников на основе сульфида самария
Влияние структурных особенностей на физические свойства редкоземельных полупроводников на основе сульфида самария
99 000 UZS
Автор
шаренкова наталия викторовна
Количество страниц
Год
2010
Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на его основе
Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на его основе
99 000 UZS
Автор
Матвеев, Борис Анатольевич
Количество страниц
Год
2010
Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование)
Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование)
99 000 UZS
Автор
Настовьяк, Алла Георгиевна
Количество страниц
Год
2010
Генерационные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка, легированного марганцем
Генерационные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка, легированного марганцем
99 000 UZS
Автор
Афанасьев Александр Михайлович
Количество страниц
Год
2021
Электрические и фотоэлектрические явления в гетероструктурах и диодах Шоттки на основе полупроводников A3B5 и кремния и их применение в сенсорах водорода
Электрические и фотоэлектрические явления в гетероструктурах и диодах Шоттки на основе полупроводников A3B5 и кремния и их применение в сенсорах водорода
99 000 UZS
Автор
Салихов, Хафиз Миргазямович
Количество страниц
Год
2010
Реконструкции поверхности GaAs(001) и их влияние на морфологию слоёв при МЛЭ и вакуумном отжиге
Реконструкции поверхности GaAs(001) и их влияние на морфологию слоёв при МЛЭ и вакуумном отжиге
99 000 UZS
Автор
Васев Андрей Васильевич
Количество страниц
Год
2009
Особенности формирования InGaN/(In,Al)GaN активной области для светоизлучающих приборов
Особенности формирования InGaN/(In,Al)GaN активной области для светоизлучающих приборов
99 000 UZS
Автор
Сизов Виктор Сергеевич
Количество страниц
Год
2010
Полупроводниковые сетчатые наноструктурированные композиты на основе диоксида олова, полученные золь-гель методом, для газовых сенсоров
Полупроводниковые сетчатые наноструктурированные композиты на основе диоксида олова, полученные золь-гель методом, для газовых сенсоров
99 000 UZS
Автор
Грачева Ирина Евгеньевна
Количество страниц
Год
2009
Насыщение усиления и нелинейные эффекты в полупроводниковых лазерах с периодическими оптическими неоднородностями
Насыщение усиления и нелинейные эффекты в полупроводниковых лазерах с периодическими оптическими неоднородностями
99 000 UZS
Автор
Соколовский, Григорий Семенович
Количество страниц
Год
2010
Формирование и полупроводниковые свойства тонких слоев на основе Fe и Ca2Si на Si(111)
Формирование и полупроводниковые свойства тонких слоев на основе Fe и Ca2Si на Si(111)
99 000 UZS
Автор
Фомин, Дмитрий Владимирович
Количество страниц
Год
2010
Взаимодействие атомов Ge с поверхностными реконструкциями в системе Me/Si(111)
Взаимодействие атомов Ge с поверхностными реконструкциями в системе Me/Si(111)
99 000 UZS
Автор
Чубенко, Дмитрий Николаевич
Количество страниц
Год
2010
Фотоэлектрические свойства гетероструктур с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si
Фотоэлектрические свойства гетероструктур с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si
99 000 UZS
Автор
Круглова Марина Вячеславовна
Количество страниц
Год
2009
Транспортные свойства углеродных наноструктур на основе графита и многостенных нанотрубок
Транспортные свойства углеродных наноструктур на основе графита и многостенных нанотрубок
99 000 UZS
Автор
Латышев Александр Юрьевич
Количество страниц
Год
2009
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3