Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Создание варизонных Ga1-xAlxSb фотоэлектрических Р-П-структур и фотопреобразователей
Создание варизонных Ga1-xAlxSb фотоэлектрических Р-П-структур и фотопреобразователей
99 000 UZS
Автор
Атаджиков, Какабай
Количество страниц
Год
2007
Исследование фосфида индия, арсенида галлия и их твердых растворов методами фото- и электроотражения
Исследование фосфида индия, арсенида галлия и их твердых растворов методами фото- и электроотражения
99 000 UZS
Автор
Ахмед Абдел Моез Абдел Рахман Езз
Количество страниц
Год
2007
Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при эпитаксии Ge на Si
Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при эпитаксии Ge на Si
99 000 UZS
Автор
Смагина Жанна Викторовна
Количество страниц
Год
2008
Моделирование устойчивого роста поверхности в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии соединений AIIIBV
Моделирование устойчивого роста поверхности в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии соединений AIIIBV
99 000 UZS
Автор
Бойко Андрей Михайлович
Количество страниц
Год
2007
Емкостная спектроскопия электронных состояний в гетероструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками
Емкостная спектроскопия электронных состояний в гетероструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками
99 000 UZS
Автор
Брунков Павел Николаевич
Количество страниц
Год
2007
Брэгговское отражение высококонтрастных фотонных кристаллов на основе композитов опал-полупроводник (GaP, GaN, GaPN)
Брэгговское отражение высококонтрастных фотонных кристаллов на основе композитов опал-полупроводник (GaP, GaN, GaPN)
99 000 UZS
Автор
Гаджиев Гаджи Магомедрасулович
Количество страниц
Год
2007
Атомно-силовая микроскопия заращенных Si,Ge наноразмерных островков : диагностика и зарядовая нанолитография
Атомно-силовая микроскопия заращенных Si,Ge наноразмерных островков : диагностика и зарядовая нанолитография
99 000 UZS
Автор
Дунаевский Михаил Сергеевич
Количество страниц
Год
2007
Люминесценция кристаллов вольфраматов двухвалентных элементов и свинца
Люминесценция кристаллов вольфраматов двухвалентных элементов и свинца
99 000 UZS
Автор
Якимова Ирина Олеговна
Количество страниц
Год
2008
Перестраиваемые одномерные фотонные кристаллы на основе щелевого кремния и жидкокристаллического наполнителя
Перестраиваемые одномерные фотонные кристаллы на основе щелевого кремния и жидкокристаллического наполнителя
99 000 UZS
Автор
Жарова Юлия Александровна
Количество страниц
Год
2007
Поляризационные оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых структурах
Поляризационные оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых структурах
99 000 UZS
Автор
Андрианов Александр Васильевич
Количество страниц
Год
2007
Квантовые процессы и соотношения в полупроводниковых кристаллах при поглощении фотонов большой энергии
Квантовые процессы и соотношения в полупроводниковых кристаллах при поглощении фотонов большой энергии
99 000 UZS
Автор
Ивахно Владимир Никитич
Количество страниц
Год
2007
Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе
Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе
99 000 UZS
Автор
Бадгутдинов Мансур Лябибович
Количество страниц
Год
2007
Моделирование и расчет тепловых, электрических свойств сегнетоэлектрических и полупроводниковых материалов твердотельной электроники
Моделирование и расчет тепловых, электрических свойств сегнетоэлектрических и полупроводниковых материалов твердотельной электроники
99 000 UZS
Автор
Казаров Бениамин Агопович
Количество страниц
Год
2007
Особенности взаимодействия мощных ультракоротких лазерных импульсов с экситонами в квантовых нитях и точках
Особенности взаимодействия мощных ультракоротких лазерных импульсов с экситонами в квантовых нитях и точках
99 000 UZS
Автор
Лясковский Владимир Леонидович
Количество страниц
Год
2007
Физические основы технологии ядерного легирования In-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV
Физические основы технологии ядерного легирования In-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV
99 000 UZS
Автор
Бойко Владимир Михайлович
Количество страниц
Год
2007
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3