Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники

Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники - 67-989-0
Исследование и разработка технологий создания фотоэлектродов на основе наноструктурированного оксида титана
Исследование и разработка технологий создания фотоэлектродов на основе наноструктурированного оксида титана
99 000 UZS
Автор
Дронов, Алексей Алексеевич
Количество страниц
Год
2012
Исследование и разработка щелевого реактора с удлиненным подложкодержателем для эпитаксиального наращивания кремния на одиночных подложках
Исследование и разработка щелевого реактора с удлиненным подложкодержателем для эпитаксиального наращивания кремния на одиночных подложках
99 000 UZS
Автор
Кравченко, Анатолий Анатольевич
Количество страниц
Год
2012
Неодимовые и иттербиевые термопрочные и химически стойкие стекла на фосфатной основе для диодно-накачиваемых лазеров
Неодимовые и иттербиевые термопрочные и химически стойкие стекла на фосфатной основе для диодно-накачиваемых лазеров
99 000 UZS
Автор
Глущенко, Илья Николаевич
Количество страниц
Год
2013
Принципы и технология проектирования упруго-управляемых устройств вакуумного оборудования для производства полупроводниковых материалов и приборов электронной техники
Принципы и технология проектирования упруго-управляемых устройств вакуумного оборудования для производства полупроводниковых материалов и приборов электронной техники
99 000 UZS
Автор
Васин Владимир Анатольевич
Количество страниц
Год
2013
Волновые методы формирования фотонных сегнетоэлектрических кристаллов
Волновые методы формирования фотонных сегнетоэлектрических кристаллов
99 000 UZS
Автор
Крутов Владислав Викторович
Количество страниц
Год
2012
Разработка технологии получения слоев политетрафторэтилена химическим осаждением из газовой фазы
Разработка технологии получения слоев политетрафторэтилена химическим осаждением из газовой фазы
99 000 UZS
Автор
Уваров, Андрей Анатольевич
Количество страниц
Год
2011
Получение и свойства стеклообразных полупроводниковых материалов в системах Ge-S-Br и Ge-Se-Br
Получение и свойства стеклообразных полупроводниковых материалов в системах Ge-S-Br и Ge-Se-Br
99 000 UZS
Автор
Крылов Николай Иванович
Количество страниц
Год
2010
Термические характеристики и стабильность тонких пленок на основе a-Si:H и его сплавов и халькогенидных полупроводников системы Ge-Sb-Te
Термические характеристики и стабильность тонких пленок на основе a-Si:H и его сплавов и халькогенидных полупроводников системы Ge-Sb-Te
99 000 UZS
Автор
Горшкова, Екатерина Викторовна
Количество страниц
Год
2010
Влияние геометрических и температурных факторов на сублимационный массоперенос в микроразмерных ростовых ячейках : технологические аспекты
Влияние геометрических и температурных факторов на сублимационный массоперенос в микроразмерных ростовых ячейках : технологические аспекты
99 000 UZS
Автор
Чеботарев Сергей Николаевич
Количество страниц
Год
2007
Формирование многокомпонентных твердых растворов GaSb<Bi> и GaInSb<Bi> для инжекционных излучателей ИК-диапазона
Формирование многокомпонентных твердых растворов GaSb и GaInSb для инжекционных излучателей ИК-диапазона
99 000 UZS
Автор
Севостьянов Александр Сергеевич
Количество страниц
Год
2005
Оптические и электрофизические свойства тонких нанострктурных пленок Sn-O-In, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления
Оптические и электрофизические свойства тонких нанострктурных пленок Sn-O-In, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления
99 000 UZS
Автор
Воронов Павел Евгеньевич
Количество страниц
Год
2009
Моделирование и оптимизация параметров технологических процессов химического осаждения тонких пленок из газовой фазы в производстве приборов электронной техники
Моделирование и оптимизация параметров технологических процессов химического осаждения тонких пленок из газовой фазы в производстве приборов электронной техники
99 000 UZS
Автор
Каратунов Юрий Владимирович
Количество страниц
Год
2003
Проходная оптика мощных широкоапертурных импульсных лазеров среднего ИК диапазона
Проходная оптика мощных широкоапертурных импульсных лазеров среднего ИК диапазона
99 000 UZS
Автор
Казанцев Сергей Геннадьевич
Количество страниц
Год
2002
Кристаллизация твердых растворов InSbBi, AllnSbBi и AlGaInSbBi с заданным энергетическим спектром в поле температурного градиента
Кристаллизация твердых растворов InSbBi, AllnSbBi и AlGaInSbBi с заданным энергетическим спектром в поле температурного градиента
99 000 UZS
Автор
Благина Лариса Васильевна
Количество страниц
Год
2001
Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных гетероструктур арсенида галлия-алюминия для преобразователя-генератора импульсов света
Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных гетероструктур арсенида галлия-алюминия для преобразователя-генератора импульсов света
99 000 UZS
Автор
Образцов Андрей Александрович
Количество страниц
Год
2001
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3