Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Морфология эпитаксиальных слоёв при неизотропной атомной диффузии : Моделирование
Морфология эпитаксиальных слоёв при неизотропной атомной диффузии : Моделирование
99 000 UZS
Автор
Брунёв Дмитрий Владиславович
Количество страниц
Год
2006
Особенности расчета распределения концентрации собственных точечных дефектов в монокристаллах кремния
Особенности расчета распределения концентрации собственных точечных дефектов в монокристаллах кремния
99 000 UZS
Автор
Пузанов Дмитрий Николаевич
Количество страниц
Год
2007
Фотолюминесценция в поликристаллических слоях на основе твердых растворов селенида свинца-селенида кадмия
Фотолюминесценция в поликристаллических слоях на основе твердых растворов селенида свинца-селенида кадмия
99 000 UZS
Автор
Гамарц Андрей Емельянович
Количество страниц
Год
2006
Комплексное исследование полупроводниковых соединений Cu2-xS с использованием метода ЯКР 63,65Cu
Комплексное исследование полупроводниковых соединений Cu2-xS с использованием метода ЯКР 63,65Cu
99 000 UZS
Автор
Сафонов Александр Николаевич
Количество страниц
Год
2007
Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе
Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе
99 000 UZS
Автор
Торхов Николай Анатольевич
Количество страниц
Год
2007
Оптические и структурные свойства квантовых точек (In, Ga, Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3-1.55 мкм
Оптические и структурные свойства квантовых точек (In, Ga, Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3-1.55 мкм
99 000 UZS
Автор
Гладышев Андрей Геннадьевич
Количество страниц
Год
2006
Динамика решетки, оптические и электрофизические свойства четверных полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-x-yZnyTe
Динамика решетки, оптические и электрофизические свойства четверных полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-x-yZnyTe
99 000 UZS
Автор
Флоренцев Антон Андреевич
Количество страниц
Год
2007
Сенсибилизация кристаллов силленитов для создания устройств преобразования сигналов
Сенсибилизация кристаллов силленитов для создания устройств преобразования сигналов
99 000 UZS
Автор
Чаплыгин Алексей Николаевич
Количество страниц
Год
2007
Эффект замороженной туннельной фотопроводимости в двумерной электронной системе приповерхностного ?-легированного слоя в GaAs
Эффект замороженной туннельной фотопроводимости в двумерной электронной системе приповерхностного ?-легированного слоя в GaAs
99 000 UZS
Автор
Дижур С.Е.
Количество страниц
Год
2006
Влияние электрического поля на фотоэлектрические спектры квантово-размерных гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией
Влияние электрического поля на фотоэлектрические спектры квантово-размерных гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией
99 000 UZS
Автор
Горшков Алексей Павлович
Количество страниц
Год
2006
Квантовые явления в 2D наноструктурах пониженной симметрии
Квантовые явления в 2D наноструктурах пониженной симметрии
99 000 UZS
Автор
Березовец Вячеслав Анатольевич
Количество страниц
Год
2006
Образование донорных центров в слоях кремния, имплантированных ионами редкоземельных элементов
Образование донорных центров в слоях кремния, имплантированных ионами редкоземельных элементов
99 000 UZS
Автор
Захарьин Алексей Олегович
Количество страниц
Год
2006
Исследование электрофизических и оптических характеристик кремниевых МОП структур с туннельно-тонким диэлектриком
Исследование электрофизических и оптических характеристик кремниевых МОП структур с туннельно-тонким диэлектриком
99 000 UZS
Автор
Векслер Михаил Исаакович
Количество страниц
Год
2006
Исследование структуры поверхности кремния по оптическому отражению
Исследование структуры поверхности кремния по оптическому отражению
99 000 UZS
Автор
Герасименко Николай Николаевич
Количество страниц
Год
2006
Внутризонные инверсии населенности и поглощение излучения среднего инфракрасного диапазона в квантовых ямах на основе соединений AIIIBV
Внутризонные инверсии населенности и поглощение излучения среднего инфракрасного диапазона в квантовых ямах на основе соединений AIIIBV
99 000 UZS
Автор
Зерова Вера Львовна
Количество страниц
Год
2006
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3