Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Методы формирования трёхмерных микро- и наноструктур на основе напряжённых SiGe/Si плёнок
Методы формирования трёхмерных микро- и наноструктур на основе напряжённых SiGe/Si плёнок
99 000 UZS
Автор
Голод Сергей Владиславович
Количество страниц
Год
2006
Эффекты спин-орбитального взаимодействия в двумерных полупроводниковых системах
Эффекты спин-орбитального взаимодействия в двумерных полупроводниковых системах
99 000 UZS
Автор
Голуб Леонид Евгеньевич
Количество страниц
Год
2006
Колебательные спектры сложных халькогенидных соединений
Колебательные спектры сложных халькогенидных соединений
99 000 UZS
Автор
Кенгерлинский, Лятиф Юлдуз оглы
Количество страниц
Год
2006
Свойства высокотемпературных омических контактов к гетероструктурам 3C-SiC/Si
Свойства высокотемпературных омических контактов к гетероструктурам 3C-SiC/Si
99 000 UZS
Автор
Колесникова Анна Алексеевна
Количество страниц
Год
2006
Эффект замороженной туннельной фотопроводимости в двумерной электронной системе приповерхностного Z-легированного слоя в GaAs
Эффект замороженной туннельной фотопроводимости в двумерной электронной системе приповерхностного Z-легированного слоя в GaAs
99 000 UZS
Автор
Дижур Сергей Евгеньевич
Количество страниц
Год
2006
Фотолюминесцентные свойства ионов эрбия в слоях твердых растворов кремний-германия и в структурах с кремниевыми нанокристаллами
Фотолюминесцентные свойства ионов эрбия в слоях твердых растворов кремний-германия и в структурах с кремниевыми нанокристаллами
99 000 UZS
Автор
Жигунов Денис Михайлович
Количество страниц
Год
2006
Пороговые, спектральные и пространственные характеристики GaAs/AlGaAs лазеров с искривленными штрихами брегговской решетки обратной связи, обеспечивающей фокусировку выходного излучения
Пороговые, спектральные и пространственные характеристики GaAs/AlGaAs лазеров с искривленными штрихами брегговской решетки обратной связи, обеспечивающей фокусировку выходного излучения
99 000 UZS
Автор
Дюделев Владислав Викторович
Количество страниц
Год
Развитие рентгеновской дифрактометрии и рефлектометрии высокого разрешения для исследования многослойных гетероструктур
Развитие рентгеновской дифрактометрии и рефлектометрии высокого разрешения для исследования многослойных гетероструктур
99 000 UZS
Автор
Ломов Андрей Александрович
Количество страниц
Год
2006
Отражение света в полупроводниковых гетероструктурах при воздействии модулированным электрическим током
Отражение света в полупроводниковых гетероструктурах при воздействии модулированным электрическим током
99 000 UZS
Автор
Лонская Екатерина Ивановна
Количество страниц
Год
2006
Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2 (P)-Si
Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2 (P)-Si
99 000 UZS
Автор
Макаренко Владимир Александрович
Количество страниц
Год
2006
Исследование неупругого рассеяния быстрых электронов на внутренних оболочках атомов гетерокомпозиций
Исследование неупругого рассеяния быстрых электронов на внутренних оболочках атомов гетерокомпозиций
99 000 UZS
Автор
Зыков Алексей Владимирович
Количество страниц
Год
2006
Электрофизические методы исследования дефектов с глубокими уровнями в многослойных структурах на основе полупроводников
Электрофизические методы исследования дефектов с глубокими уровнями в многослойных структурах на основе полупроводников
99 000 UZS
Автор
Каданцев Алексей Васильевич
Количество страниц
Год
2006
Аномальный транспорт и спиновая динамика в двумерных полупроводниковых системах
Аномальный транспорт и спиновая динамика в двумерных полупроводниковых системах
99 000 UZS
Автор
Качоровский Валентин Юрьевич
Количество страниц
Год
2006
Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и тв#рдых растворах на его основе
Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и тв#рдых растворах на его основе
99 000 UZS
Автор
Николаенко Андрей Евгеньевич
Количество страниц
Год
2006
Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs
Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs
99 000 UZS
Автор
Петров Павел Вячеславович
Количество страниц
Год
2006
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3