Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Взаимная диффузия в GexSi1-x/Si гетероструктурах, выращенных методом МЛЭ
Взаимная диффузия в GexSi1-x/Si гетероструктурах, выращенных методом МЛЭ
99 000 UZS
Автор
Кеслер Валерий Геннадьевич
Количество страниц
Год
2005
Эпитаксиальные фоточувствительные структуры на основе теллуридов свинца-олова
Эпитаксиальные фоточувствительные структуры на основе теллуридов свинца-олова
99 000 UZS
Автор
Климов Александр Эдуардович
Количество страниц
Год
2005
Получение и свойства гетероструктур на основе многокомпонентных антимонидов А3 В5 с низкой термодинамической устойчивостью
Получение и свойства гетероструктур на основе многокомпонентных антимонидов А3 В5 с низкой термодинамической устойчивостью
99 000 UZS
Автор
Когновицкая Елена Андреевна
Количество страниц
Год
2005
Динамика электронных состояний в слоистых системах на основе эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок
Динамика электронных состояний в слоистых системах на основе эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок
99 000 UZS
Автор
Кожухарь Анатолий Юрьевич
Количество страниц
Год
2005
Оптические свойства гетероструктур InGaAsN на основе GaAs
Оптические свойства гетероструктур InGaAsN на основе GaAs
99 000 UZS
Автор
Крыжановская Наталья Владимировна
Количество страниц
Год
2005
Вейвлет-анализ шумовых процессов в полупроводниковых структурах
Вейвлет-анализ шумовых процессов в полупроводниковых структурах
99 000 UZS
Автор
Кукоев Игорь Юрьевич
Количество страниц
Год
2005
Атомная и электронная структура наноформ на основе кремния
Атомная и электронная структура наноформ на основе кремния
99 000 UZS
Автор
Борщ Надежда Алексеевна
Количество страниц
Год
2005
Влияние состояния ионов и дефектов нестехиометрии на электромагнитные явления в ферримагнитных полупроводниках
Влияние состояния ионов и дефектов нестехиометрии на электромагнитные явления в ферримагнитных полупроводниках
99 000 UZS
Автор
Булатов Марат Фатыхович
Количество страниц
Год
2005
Процессы испарения и кристаллизации окисных сло#в на германии
Процессы испарения и кристаллизации окисных сло#в на германии
99 000 UZS
Автор
Горохов Евгений Борисович
Количество страниц
Год
2005
Оптические свойства гетероинтерфейсов типа II в теории сильной связи
Оптические свойства гетероинтерфейсов типа II в теории сильной связи
99 000 UZS
Автор
Нестоклон Михаил Олегович
Количество страниц
Год
2006
Поведение сегнетоэлектриков в наноразмерных силикатных матрицах
Поведение сегнетоэлектриков в наноразмерных силикатных матрицах
99 000 UZS
Автор
Стукова Елена Владимировна
Количество страниц
Год
2006
Влияние электрического поля на скорость оптических и термических переходов с глубоких уровней в арсениде галлия
Влияние электрического поля на скорость оптических и термических переходов с глубоких уровней в арсениде галлия
99 000 UZS
Автор
Трифонов Олег Александрович
Количество страниц
Год
2006
Структура, параметры и физико-химическая природа центров с глубокими уровнями в соединениях A2B6
Структура, параметры и физико-химическая природа центров с глубокими уровнями в соединениях A2B6
99 000 UZS
Автор
Хамидов Марасилав Магомедович
Количество страниц
Год
2006
Кинетические свойства размерно-квантованных систем в электрическом и магнитном полях
Кинетические свойства размерно-квантованных систем в электрическом и магнитном полях
99 000 UZS
Автор
Хамидуллин Рустам Ангамович
Количество страниц
Год
2006
Радиационно-стимулированное формирование нитрида кремния в кремнии при последовательном облучении встречными пучками ионов азота и аргона
Радиационно-стимулированное формирование нитрида кремния в кремнии при последовательном облучении встречными пучками ионов азота и аргона
99 000 UZS
Автор
Сдобняков Виктор Владимирович
Количество страниц
Год
2006
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3