Твердотельная электроника

Твердотельная электроника - 67-989-0
Исследование и разработка процессов плазменного травления функциональных слоев СБИС с использованием источников высокоплотной плазмы
Исследование и разработка процессов плазменного травления функциональных слоев СБИС с использованием источников высокоплотной плазмы
99 000 UZS
Автор
Голишников Александр Анатольевич
Количество страниц
Год
2002
Разработка математических моделей и средств проектирования прецизионных источников опорного напряжения в составе интегральных схем
Разработка математических моделей и средств проектирования прецизионных источников опорного напряжения в составе интегральных схем
99 000 UZS
Автор
Рябченков Сергей Сергеевич
Количество страниц
Год
2004
Влияние конструктивных особенностей ВЧ и СВЧ мощных ДМОП транзисторов на входной импеданс и коэффициент усиления по мощности
Влияние конструктивных особенностей ВЧ и СВЧ мощных ДМОП транзисторов на входной импеданс и коэффициент усиления по мощности
99 000 UZS
Автор
Семейкин Игорь Валентинович
Количество страниц
Год
2006
Влияние конструктивных и технологических факторов на предельные параметры и режимы работы мощных ВЧ и СВЧ ДМОП транзисторов
Влияние конструктивных и технологических факторов на предельные параметры и режимы работы мощных ВЧ и СВЧ ДМОП транзисторов
99 000 UZS
Автор
Григорьев Роман Григорьевич
Количество страниц
Год
2005
Диагностические методы оценки надежности интегральных схем с использованием шумовых параметров
Диагностические методы оценки надежности интегральных схем с использованием шумовых параметров
99 000 UZS
Автор
Смирнов Дмитрий Юрьевич
Количество страниц
Год
2006
Спектроскопия электронных состояний и неравновесных носителей заряда в низкоразмерных гетероструктурах на основе арсенида галлия
Спектроскопия электронных состояний и неравновесных носителей заряда в низкоразмерных гетероструктурах на основе арсенида галлия
99 000 UZS
Автор
Гапонова Дария Михайловна
Количество страниц
Год
2002
Теплофизические свойства микросистем на основе структур
Теплофизические свойства микросистем на основе структур "карбид кремния на изоляторе"
99 000 UZS
Автор
Никитин Илья Владимирович
Количество страниц
Год
2002
Влияние особенностей состава и технологии получения наноразмерных пленок Ленгмюра-Блоджетт на их показатель преломления и толщину
Влияние особенностей состава и технологии получения наноразмерных пленок Ленгмюра-Блоджетт на их показатель преломления и толщину
99 000 UZS
Автор
Гецьман Максим Александрович
Количество страниц
Год
2005
Формирование локальных высокоомных пористых областей в кремнии и кремний-германии методом неоднородного химического травления
Формирование локальных высокоомных пористых областей в кремнии и кремний-германии методом неоднородного химического травления
99 000 UZS
Автор
Старостина Елена Алексеевна
Количество страниц
Год
2001
Разработка кремниевых фотодиодов повышенной надежности
Разработка кремниевых фотодиодов повышенной надежности
99 000 UZS
Автор
Добровольский, Юрий Георгиевич
Количество страниц
Год
2000
Разработка и исследование интегральных прецизионных стабилитронов с регулируемыми выходными характеристиками
Разработка и исследование интегральных прецизионных стабилитронов с регулируемыми выходными характеристиками
99 000 UZS
Автор
Кирюхин, Игорь Сергеевич
Количество страниц
Год
2000
Исследование и разработка конструктивно-технологических методов улучшения параметров силовых планарных МОП транзисторов
Исследование и разработка конструктивно-технологических методов улучшения параметров силовых планарных МОП транзисторов
99 000 UZS
Автор
Швец Александр Валерьевич
Количество страниц
Год
2003
Конструкторский синтез спецвычислителей на базе ПЛИС методом функциональной декомпозиции
Конструкторский синтез спецвычислителей на базе ПЛИС методом функциональной декомпозиции
99 000 UZS
Автор
Волков Андрей Валентинович
Количество страниц
Год
2005
Моделирование электрических параметров и определение времени жизни носителей и времени переключения силовых биполярных полупроводниковых структур
Моделирование электрических параметров и определение времени жизни носителей и времени переключения силовых биполярных полупроводниковых структур
99 000 UZS
Автор
Сахмуд Абделькарим Низар
Количество страниц
Год
2002
Исследование перспективных фотолитографических процессов с суб-0.2 мкм проектными нормами с помощью математического моделирования
Исследование перспективных фотолитографических процессов с суб-0.2 мкм проектными нормами с помощью математического моделирования
99 000 UZS
Автор
Ивин, Владимир Владимирович
Количество страниц
Год
2000
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3