Твердотельная электроника

Твердотельная электроника - 67-989-0
Квазигидродинамическое моделирование высокополевого электронного дрейфа в полупроводниковых субмикронных структурах с периодическими неоднородностями
Квазигидродинамическое моделирование высокополевого электронного дрейфа в полупроводниковых субмикронных структурах с периодическими неоднородностями
99 000 UZS
Автор
Якупов Марат Назирович
Количество страниц
Год
2006
Физико-технологические основы формирования контактов к карбиду кремния методами импульсной термообработки
Физико-технологические основы формирования контактов к карбиду кремния методами импульсной термообработки
99 000 UZS
Автор
Агеев Олег Алексеевич
Количество страниц
Год
2005
Исследование процессов формирования по золь-гель технологии сенсорных элементов на основе тонких пленок состава SiOx:SnOy
Исследование процессов формирования по золь-гель технологии сенсорных элементов на основе тонких пленок состава SiOx:SnOy
99 000 UZS
Автор
Плуготаренко Нина Константиновна
Количество страниц
Год
2006
Разработка и исследование газового сенсора на основе тонкопленочных материалов состава SiO2 SnOx AgOy
Разработка и исследование газового сенсора на основе тонкопленочных материалов состава SiO2 SnOx AgOy
99 000 UZS
Автор
Назарова Татьяна Николаевна
Количество страниц
Год
2006
Контроль кристаллов интегральных схем на основе статистического моделирования методом точечных распределений
Контроль кристаллов интегральных схем на основе статистического моделирования методом точечных распределений
99 000 UZS
Автор
Столяренко Юлия Александровна
Количество страниц
Год
2006
Исследование магнитоэлектрических фильтрующих СВЧ устройств с электрическим управлением на основе слоистых феррит-пьезоэлектрических материалов
Исследование магнитоэлектрических фильтрующих СВЧ устройств с электрическим управлением на основе слоистых феррит-пьезоэлектрических материалов
99 000 UZS
Автор
Татаренко Александр Сергеевич
Количество страниц
Год
2006
Исследование и разработка кремниевого многоцелевого координатного детектора радиационных частиц и излучений
Исследование и разработка кремниевого многоцелевого координатного детектора радиационных частиц и излучений
99 000 UZS
Автор
Удалов Василий Андреевич
Количество страниц
Год
2006
Многомезовые лавинно-пролетные диоды миллиметрового диапазона с повышенным уровнем выходной мощности СВЧ
Многомезовые лавинно-пролетные диоды миллиметрового диапазона с повышенным уровнем выходной мощности СВЧ
99 000 UZS
Автор
Ташилов Аслан Султанович
Количество страниц
Год
2006
Исследование и разработка конструктивно-технологических решений создания транзисторного модуля для изготовления КМОП схем с проектными нормами 0.35 мкн на кластерном технологическом оборудовании
Исследование и разработка конструктивно-технологических решений создания транзисторного модуля для изготовления КМОП схем с проектными нормами 0.35 мкн на кластерном технологическом оборудовании
99 000 UZS
Автор
Цимбалов Андрей Сергеевич
Количество страниц
Год
2006
Гетероструктуры с Ge(Si) самоформирующимися наноостровками и квантовыми точками на Si(001) подложках и релаксированных SiGe/Si(001) буферных слоях: особенности роста и фотолюминесценции
Гетероструктуры с Ge(Si) самоформирующимися наноостровками и квантовыми точками на Si(001) подложках и релаксированных SiGe/Si(001) буферных слоях: особенности роста и фотолюминесценции
99 000 UZS
Автор
Шалеев Михаил Владимирович
Количество страниц
Год
2006
Разработка отдельных базовых процессов формирования активных областей силовых кремниевых транзисторов
Разработка отдельных базовых процессов формирования активных областей силовых кремниевых транзисторов
99 000 UZS
Автор
Шангереева Бийке Алиевна
Количество страниц
Год
2006
Влияние освещения на ионное распыление широкозонного гетерофазного полупроводника CdS-PbS
Влияние освещения на ионное распыление широкозонного гетерофазного полупроводника CdS-PbS
99 000 UZS
Автор
Сердобинцев Алексей Александрович
Количество страниц
Год
2006
Оптимизация технологии формирования элементов интегральной электроники с пониженной дефектностью на структурах кремний на изоляторе
Оптимизация технологии формирования элементов интегральной электроники с пониженной дефектностью на структурах кремний на изоляторе
99 000 UZS
Автор
Мустафаев Абдулла Гасанович
Количество страниц
Год
2006
Особенности воздействия СВЧ- и оптического излучения на полупроводниковые приборы СВЧ-диапазона
Особенности воздействия СВЧ- и оптического излучения на полупроводниковые приборы СВЧ-диапазона
99 000 UZS
Автор
Абрамов Антон Валерьевич
Количество страниц
Год
2005
Оперативный диагностический контроль и мониторинг технического состояния силовых полупроводниковых приборов в преобразовательных агрегатах
Оперативный диагностический контроль и мониторинг технического состояния силовых полупроводниковых приборов в преобразовательных агрегатах
99 000 UZS
Автор
Сухов Александр Валерьевич
Количество страниц
Год
2006
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3