Твердотельная электроника

Твердотельная электроника - 67-989-0
Создание и исследование фоточувствительных структур на основе контакта металл-широкозонный полупроводник
Создание и исследование фоточувствительных структур на основе контакта металл-широкозонный полупроводник
99 000 UZS
Автор
Ламкин Иван Анатольевич
Количество страниц
Год
2015
МОДЕЛИРОВАНИЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК СЕНСОРОВ ГАЗА НА ОСНОВЕ ПОЛИАКРИЛОНИТРИЛА
МОДЕЛИРОВАНИЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК СЕНСОРОВ ГАЗА НА ОСНОВЕ ПОЛИАКРИЛОНИТРИЛА
99 000 UZS
Автор
Бедная Татьяна Алексеевна
Количество страниц
Год
2014
Увеличение удельной выходной мощности и коэффициента усиления DpHEMT-транзисторов за счет повышения степени локализации горячих электронов в канале
Увеличение удельной выходной мощности и коэффициента усиления DpHEMT-транзисторов за счет повышения степени локализации горячих электронов в канале
99 000 UZS
Автор
Лукашин Владимир Михайлович
Количество страниц
Год
2023
Границы раздела в гетероструктурных фотоэлектрических преобразователях солнечного излучения»
Границы раздела в гетероструктурных фотоэлектрических преобразователях солнечного излучения»
99 000 UZS
Автор
Гудовских Александр Сергеевич
Количество страниц
Год
2014
Твердотельные охлаждающие устройства на основе электрокалорического эффекта в сегнетоэлектрических материалах
Твердотельные охлаждающие устройства на основе электрокалорического эффекта в сегнетоэлектрических материалах
99 000 UZS
Автор
Еськов Андрей Владимирович
Количество страниц
Год
2014
РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОСНОВ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛАНАРНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК BiFeO3 ДЛЯ УСТРОЙСТВ ОБРАБОТКИ И ХРАНЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ
РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОСНОВ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛАНАРНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК BiFeO3 ДЛЯ УСТРОЙСТВ ОБРАБОТКИ И ХРАНЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ
99 000 UZS
Автор
Алябьева Наталья Ивановна
Количество страниц
Год
2014
Высокопрочные шунтирующий и блокирующий диоды солнечных батарей космических аппаратов
Высокопрочные шунтирующий и блокирующий диоды солнечных батарей космических аппаратов
99 000 UZS
Автор
Дидык Павел Игоревич
Количество страниц
Год
2014
Моделирование физических процессов в полупроводниковых структурах при воздействии мощных электромагнитных импульсов -
Моделирование физических процессов в полупроводниковых структурах при воздействии мощных электромагнитных импульсов -
99 000 UZS
Автор
Мещеряков Сергей Александрович
Количество страниц
Год
2015
Деградационные процессы в тонкопленочных солнечных элементах
Деградационные процессы в тонкопленочных солнечных элементах
99 000 UZS
Автор
Зезин Денис Анатольевич
Количество страниц
Год
2014
Методы формирования объемных микроструктур устройств микроэлектроники и микросистемной техники космического назначения
Методы формирования объемных микроструктур устройств микроэлектроники и микросистемной техники космического назначения
99 000 UZS
Автор
Ануров Алексей Евгеньевич
Количество страниц
Год
2017
Исследование и разработка электрически перепрограммируемой энергонезависимой памяти на основе КМОП-технологии
Исследование и разработка электрически перепрограммируемой энергонезависимой памяти на основе КМОП-технологии
99 000 UZS
Автор
Ермаков Игорь Владимирович
Количество страниц
Год
2015
Разработка методов и алгоритмов высокоточной томографии квантовых состояний
Разработка методов и алгоритмов высокоточной томографии квантовых состояний
99 000 UZS
Автор
Белинский Леонид Владимирович
Количество страниц
Год
2017
Исследование и разработка методов и адаптивных интегральных схем обработки сигналов микроэлектромеханических инерциальных датчиков
Исследование и разработка методов и адаптивных интегральных схем обработки сигналов микроэлектромеханических инерциальных датчиков
99 000 UZS
Автор
Белоусов Егор Олегович
Количество страниц
Год
2017
Многокомпонентные металлооксиды на основе ZnO и SnO2 для использования в тонкопленочных прозрачных транзисторах
Многокомпонентные металлооксиды на основе ZnO и SnO2 для использования в тонкопленочных прозрачных транзисторах
99 000 UZS
Автор
Белоусов Сергей Алексеевич
Количество страниц
Год
2017
Влияние интерфейсных напряжений на свойства наноразмерных мультислойных структур на основе сложных оксидов и полупроводников (и их использование) при создании устройств микро- и наноэлектроники
Влияние интерфейсных напряжений на свойства наноразмерных мультислойных структур на основе сложных оксидов и полупроводников (и их использование) при создании устройств микро- и наноэлектроники
99 000 UZS
Автор
Буряков Арсений Михайлович
Количество страниц
Год
2017
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3