Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Влияние локализованных состояний аморфного гидрогенизированного кремния на свойства области пространственного заряда в тонкопленочных структурах
Влияние локализованных состояний аморфного гидрогенизированного кремния на свойства области пространственного заряда в тонкопленочных структурах
99 000 UZS
Автор
Авачев Алексей Петрович
Количество страниц
Год
2007
Исследование фотоэлектрических процессов в спектрально-селективных фотоячейках на основе вертикально-интегрированных диодных структур
Исследование фотоэлектрических процессов в спектрально-селективных фотоячейках на основе вертикально-интегрированных диодных структур
99 000 UZS
Автор
Игнатьева Елена Александровна
Количество страниц
Год
2007
Электронно-ионное взаимодействие и туннельный эффект в кремниевых структурах металл–окисел–полупроводник
Электронно-ионное взаимодействие и туннельный эффект в кремниевых структурах металл–окисел–полупроводник
99 000 UZS
Автор
Чучева Галина Викторовна
Количество страниц
Год
2009
Высокоэффективные излучающие приборы на основе гетероструктур AlGaInN
Высокоэффективные излучающие приборы на основе гетероструктур AlGaInN
99 000 UZS
Автор
Смирнова Ирина Павловна
Количество страниц
Год
2007
Создание и исследование источников спонтанного и когерентного излучения на основе AIIIBV для средней ИК-области спектра (l=2-5 мкм)
Создание и исследование источников спонтанного и когерентного излучения на основе AIIIBV для средней ИК-области спектра (l=2-5 мкм)
99 000 UZS
Автор
Гребенщикова Елена Александровна
Количество страниц
Год
2007
Микролазеры на основе гетероструктур с InGaAs квантовыми точками с резонаторами, сформированными селективным окислением слоев AlGaAs
Микролазеры на основе гетероструктур с InGaAs квантовыми точками с резонаторами, сформированными селективным окислением слоев AlGaAs
99 000 UZS
Автор
Блохин Сергей Анатольевич
Количество страниц
Год
2006
Магнитооптические эффекты в полупроводниковых наноструктурах с примесными центрами атомного и молекулярного типа
Магнитооптические эффекты в полупроводниковых наноструктурах с примесными центрами атомного и молекулярного типа
99 000 UZS
Автор
Грунин Александр Борисович
Количество страниц
Год
2006
Свойства пленочных микро- и наноструктур с диэлектрическими слоями на основе оксидов редкоземельных элементов
Свойства пленочных микро- и наноструктур с диэлектрическими слоями на основе оксидов редкоземельных элементов
99 000 UZS
Автор
Гурьянов Александр Михайлович
Количество страниц
Год
2006
Оптические свойства анизотропных кремниевых структур
Оптические свойства анизотропных кремниевых структур
99 000 UZS
Автор
Круткова Елена Юрьевна
Количество страниц
Год
2007
Термоактивационные процессы с участием медленных электронных ловушек в халькогенидах цинка
Термоактивационные процессы с участием медленных электронных ловушек в халькогенидах цинка
99 000 UZS
Автор
Камалудинова Халимат Эхоевна
Количество страниц
Год
2006
Особенности электрофизических свойств твердотельных структур при воздействии наносекундных импульсов электромагнитного излучения
Особенности электрофизических свойств твердотельных структур при воздействии наносекундных импульсов электромагнитного излучения
99 000 UZS
Автор
Требунских Сергей Юрьевич
Количество страниц
Год
2006
Особенности электрических и термоэлектрических свойств моносульфида самария, связанные с переменной валентностью ионов самария
Особенности электрических и термоэлектрических свойств моносульфида самария, связанные с переменной валентностью ионов самария
99 000 UZS
Автор
Соловьев Сергей Михайлович
Количество страниц
Год
2007
Влияние неоднородности толщины диэлектрика на свойства туннельных МОП структур Al/(1-4 нм)SiO2/Si
Влияние неоднородности толщины диэлектрика на свойства туннельных МОП структур Al/(1-4 нм)SiO2/Si
99 000 UZS
Автор
Тягинов Станислав Эдуардович
Количество страниц
Год
2006
Радиационно-физические процессы в облученных нейтронами полупроводниковых соединениях антимонида и фосфида индия
Радиационно-физические процессы в облученных нейтронами полупроводниковых соединениях антимонида и фосфида индия
99 000 UZS
Автор
Меркурисов Денис Игоревич
Количество страниц
Год
2003
Коллективные эффекты в электрон-дырочной плазме и их влияние на излучательную рекомбинацию в полупроводниковых низкоразмерных лазерных гетероструктурах
Коллективные эффекты в электрон-дырочной плазме и их влияние на излучательную рекомбинацию в полупроводниковых низкоразмерных лазерных гетероструктурах
99 000 UZS
Автор
Карачинский Леонид Яковлевич
Количество страниц
Год
2004
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3