Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Ab initio теория электрон-фононных процессов в полупроводниковых кристаллах
Ab initio теория электрон-фононных процессов в полупроводниковых кристаллах
99 000 UZS
Автор
Обухов Сергей Владимирович
Количество страниц
Год
2015
Исследование глубоких энергетических уровней в барьерных структурах на основе кристаллического и аморфного гидрогенизированного кремния
Исследование глубоких энергетических уровней в барьерных структурах на основе кристаллического и аморфного гидрогенизированного кремния
99 000 UZS
Автор
ГУДЗЕВ ВАЛЕРИЙ ВЛАДИМИРОВИЧ
Количество страниц
Год
2015
Получение и физические свойства полупроводниковых соединений системы Cu-Fe-S
Получение и физические свойства полупроводниковых соединений системы Cu-Fe-S
99 000 UZS
Автор
Гавриленко Андрей Николаевич
Количество страниц
Год
2015
Электронный транспорт в si структурах с малой компенсацией при эффекте поля в примесной зоне и монополярном фотовозбуждении
Электронный транспорт в si структурах с малой компенсацией при эффекте поля в примесной зоне и монополярном фотовозбуждении
99 000 UZS
Автор
Рыльков Владимир Васильевич
Количество страниц
Год
2015
Электронные явления в полупроводниковых наноструктурированных материалах, насыщенных водородом
Электронные явления в полупроводниковых наноструктурированных материалах, насыщенных водородом
99 000 UZS
Автор
Сергеев Владимир Олегович
Количество страниц
Год
2015
Низкопороговые лазерные гетероструктуры зеленого и желтого спектрального диапазона на основе квантовых точек CdSe/Zn(Cd)Se, выращенные на арсениде галлия методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Низкопороговые лазерные гетероструктуры зеленого и желтого спектрального диапазона на основе квантовых точек CdSe/Zn(Cd)Se, выращенные на арсениде галлия методом молекулярно-пучковой эпитаксии
99 000 UZS
Автор
Гронин Сергей Вячеславович
Количество страниц
Год
2015
Безызлучательные переходы и перенос энергии в полупроводниковых квантовых точках
Безызлучательные переходы и перенос энергии в полупроводниковых квантовых точках
99 000 UZS
Автор
Самосват Дмитрий Михайлович
Количество страниц
Год
2015
Нелинейная зависимость высоты барьера от смещения и природа аномалий характеристик контактов с барьером Шоттки
Нелинейная зависимость высоты барьера от смещения и природа аномалий характеристик контактов с барьером Шоттки
99 000 UZS
Автор
Шмаргунов Антон Владимирович
Количество страниц
Год
2015
Плазмонные эффекты в композитных металл-полупроводниковых структурах на основе соединений A2B6 и A3N
Плазмонные эффекты в композитных металл-полупроводниковых структурах на основе соединений A2B6 и A3N
99 000 UZS
Автор
Беляев Кирилл Геннадьевич
Количество страниц
Год
2014
Исследование эмиссии носителей заряда из квантовых точек и ям In(Ga)As/GaAs в матрицу полупроводника методами фотоэлектрической спектроскопии
Исследование эмиссии носителей заряда из квантовых точек и ям In(Ga)As/GaAs в матрицу полупроводника методами фотоэлектрической спектроскопии
99 000 UZS
Автор
Волкова Наталья Сергеевна
Количество страниц
Год
2014
ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ И КИНЕТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ АНИЗОТРОПНЫХ И КЛАСТЕРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР
ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ И КИНЕТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ АНИЗОТРОПНЫХ И КЛАСТЕРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР
99 000 UZS
Автор
Власов Артур Николаевич
Количество страниц
Год
2014
Оптимизация технических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия
Оптимизация технических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия
99 000 UZS
Автор
Вороненков Владислав
Количество страниц
Год
2014
Транспортные явления в объёмном Ge и наноструктурах на основе Si, GaAs и InAs, перспективных для генерации ТГц излучения
Транспортные явления в объёмном Ge и наноструктурах на основе Si, GaAs и InAs, перспективных для генерации ТГц излучения
99 000 UZS
Автор
Папроцкий Станислав Константинович
Количество страниц
Год
2015
Оптимизация технологических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия
Оптимизация технологических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия
99 000 UZS
Автор
Вороненков Владислав Валерьевич
Количество страниц
Год
2014
Полупроводниковые нанокомпозиты на основе кремния и силицидов
Полупроводниковые нанокомпозиты на основе кремния и силицидов
99 000 UZS
Автор
Горошко Дмитрий Львович
Количество страниц
Год
2014
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3