Неразрушающая диагностика электронных свойств структур на основе SiC и GaAs/AlGaAs

Титков Илья Евгеньевич. Неразрушающая диагностика электронных свойств структур на основе SiC и GaAs/AlGaAs : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10.- Санкт-Петербург, 2001.- 118 с.: ил. РГБ ОД, 61 02-1/440-0
Автор
Титков Илья Евгеньевич
Год
2001

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Транспортные свойства гетероструктур на основе магнитных полупроводников
99 000 UZS
Автор
Ермолов Алексей Викторович
Количество страниц
Год
2006
Моделирование диффузии примесей в полупроводниках при неравновесных условиях
99 000 UZS
Автор
Криворучко Артем Александрович
Количество страниц
Год
2006
Спектроскопия самоорганизующихся INAS/GAAS квантовых точек в полупроводниковых лазерных структурах
99 000 UZS
Автор
Савельев Артем Владимирович
Количество страниц
Год
2006
Структура и оптические свойства тонкопленочных полупроводниковых соединений на основе кремния, синтезированных импульсными энергетическими воздействиями
99 000 UZS
Автор
Баталов Рафаэль Ильясович
Количество страниц
Год
2004
Получение и свойства ультратонких пленок аморфного кремния и многослойных периодических наноструктур на их основе
99 000 UZS
Автор
Казанцева Инга Александровна
Количество страниц
Год
2002
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3