Введение
Глава 1. Микроструктуры на основе GaAs и InP 7
1.1 Технология получения полупроводниковых микроструктур 12
1.1.1 Технология получения микростолбиков 12
1.1.2 Технология получения двумерных фотонных кристаллов 20
1.1.3 Технология получения микролазера с распределенным Брэгговским отражателем воздух/полупроводник 22
1.2 Реактивное ионное травление 25
1.2.1 Материалы масок и методы их формирования 29
1.2.2 Химические прог^ессы реактивного ионного травления 35
1.2.3 Выбор параметров процессов травления микроструктур на основе GaAs/AlGaAs 39
1.2.4 Выбо параметров процессов травления микроструктур на основе InP 40
1.3 Оптические исследования и результаты 47
1.3.1 Оптические исследования микростолбиков 47
1.1.2 Оптические исследования фотонных кристаллов 54
1.1.3 Оптические исследования гетеролазера с глубоко протравленным распределенным Брэгговским отражателем 63
Глава 2. Светодиоды на основе нитридов III группы 67
2.1 Конструкция и технология получения светодиодов на основе GaN 71
2.2 Реактивное ионное травление GaN 77
2.2.1 Выбор режимов травления GaN 77
2.2.2 Выбор масок для травления GaN 83
2.3 Характеристики светодиодов на основе нитридов III группы 91
2.4. Создание микрорельефа на границах полупроводник/воздух и подложка/вохдух методом реактивного ионного травления для повышения внешней квантовой эффективности светодиодов на основе гетероструктур AlGalnN 94
2.4.1 Создание микрорельефа на границе полупроводник/воздух 95
2.4.2 Создание микрорельефа на границе подложка/воздух 104
Глава 3. Получение микроструктур методом наноимприна 113
3.1 Основы метода наноимпринта 115
3.2 Реактивное ионное травление полупроводниковых структур на основе кремн ия 120
3.3 Эксперименты по получению микроструктур с помощью методов наноимринта и реактивного ионного травления 127
3.3.1 Изготовление штампов для наноимпринта с помощью метода реактивного ионного травления 727
3.3.2 Получения микроструктур на основе GaAs с помощью методов наноимпринта и реактивного ионного травления 132
Заключение 136
Литература 141
