Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Процессы излучательной рекомбинации в пленках оксида цинка и гетероструктурах на их основе
Процессы излучательной рекомбинации в пленках оксида цинка и гетероструктурах на их основе
99 000 UZS
Автор
Аливов Яхия Ибрагимович
Количество страниц
Год
2005
Электрофизические характеристики и структурно-фазовый состав наноразмерных структур в системе Ga2Se3/GaAs
Электрофизические характеристики и структурно-фазовый состав наноразмерных структур в системе Ga2Se3/GaAs
99 000 UZS
Автор
Стародубцев Александр Александрович
Количество страниц
Год
2006
Рекомбинационные процессы в однослойных массивах InAs/GaAs квантовых точек
Рекомбинационные процессы в однослойных массивах InAs/GaAs квантовых точек
99 000 UZS
Автор
Школьник Алексей Сергеевич
Количество страниц
Год
2006
Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
99 000 UZS
Автор
Григорьев Денис Валерьевич
Количество страниц
Год
2005
Пикосекундные инжекционные лазеры с пассивной модуляцией добротности и синхронизацией мод
Пикосекундные инжекционные лазеры с пассивной модуляцией добротности и синхронизацией мод
99 000 UZS
Автор
Губенко Алексей Евгеньевич
Количество страниц
Год
2005
Электрофизические свойства нетрадиционных диэлектрических слоев (ионно синтезированный SiO2 и HfO2, ZrO2, Al2O3 ) на поверхности кремния
Электрофизические свойства нетрадиционных диэлектрических слоев (ионно синтезированный SiO2 и HfO2, ZrO2, Al2O3 ) на поверхности кремния
99 000 UZS
Автор
Дмитриев Валентин Александрович
Количество страниц
Год
2005
Размерное квантование и туннелирование электронов в фотоэмиссии из p+-GaAs(Cs, O)
Размерное квантование и туннелирование электронов в фотоэмиссии из p+-GaAs(Cs, O)
99 000 UZS
Автор
Андреев Вячеслав Эдуардович
Количество страниц
Год
2005
Механизмы модификации электронной структуры, светоизлучающих свойств и состава поверхности пористого кремния в процессе водного дотравливания
Механизмы модификации электронной структуры, светоизлучающих свойств и состава поверхности пористого кремния в процессе водного дотравливания
99 000 UZS
Автор
Апполонов Сергей Владимирович
Количество страниц
Год
2005
Нелинейные процессы и самоорганизация диссипативных структур в системах полупроводник - газоразрядный промежуток
Нелинейные процессы и самоорганизация диссипативных структур в системах полупроводник - газоразрядный промежуток
99 000 UZS
Автор
Астров Юрий Александрович
Количество страниц
Год
2005
Физические основы и принципы проектирования интегральных полупроводниковых датчиков переменных давлений
Физические основы и принципы проектирования интегральных полупроводниковых датчиков переменных давлений
99 000 UZS
Автор
Драгунов Валерий Павлович
Количество страниц
Год
2005
Поляризационная спектроскопия полупроводниковых микрорезонаторов Фабри-Перо на основе гидрогенизированного аморфного кремния
Поляризационная спектроскопия полупроводниковых микрорезонаторов Фабри-Перо на основе гидрогенизированного аморфного кремния
99 000 UZS
Автор
Дукин Александр Анатольевич
Количество страниц
Год
2005
Магнитооптические свойства квазиодномерных структур с водородоподобными примесными центрами
Магнитооптические свойства квазиодномерных структур с водородоподобными примесными центрами
99 000 UZS
Автор
Калинин Евгений Николаевич
Количество страниц
Год
2005
Анизотропия магнитооптического поглощения в полупроводниковых многоямных квантовых структурах с примесными молекулами
Анизотропия магнитооптического поглощения в полупроводниковых многоямных квантовых структурах с примесными молекулами
99 000 UZS
Автор
Евстифеев Василий Викторович
Количество страниц
Год
2005
Исследование эффективности InxGa1-xN/GaN светодиодов
Исследование эффективности InxGa1-xN/GaN светодиодов
99 000 UZS
Автор
Ефремов Артем Александрович
Количество страниц
Год
2005
Примесная люминесценция в арсениде галлия и низкоразмерных структурах на его основе
Примесная люминесценция в арсениде галлия и низкоразмерных структурах на его основе
99 000 UZS
Автор
Журавлев Константин Сергеевич
Количество страниц
Год
2005
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3