Технические науки

Технические науки - 67-0-0
Гетероструктуры InSb_1-x Bi_x/InSb и GaSb_1-x Bi_x/GaSb с квантовыми ямами: технология получения и свойства
Гетероструктуры InSb_1-x Bi_x/InSb и GaSb_1-x Bi_x/GaSb с квантовыми ямами: технология получения и свойства
99 000 UZS
Автор
Драка Оксана Евгеньевна
Количество страниц
Год
2003
Повышение однородности состава и равномерности толщины многослойных тонкопленочных покрытий на поверхностях большого размера
Повышение однородности состава и равномерности толщины многослойных тонкопленочных покрытий на поверхностях большого размера
99 000 UZS
Автор
Колесник Леонид Леонидович
Количество страниц
Год
2009
Гетероструктуры InSb1-x Bi x /InSb и GaSb1-x Bi x /GaSb с квантовыми ямами: технология получения и свойства
Гетероструктуры InSb1-x Bi x /InSb и GaSb1-x Bi x /GaSb с квантовыми ямами: технология получения и свойства
99 000 UZS
Автор
Драка Оксана Евгеньевна
Количество страниц
Год
2003
Разработка и исследование методов и средств повышения технического уровня элементной базы вакуумных систем и эксплуатационных характеристик промышленного оборудования тонкопленочных технологий
Разработка и исследование методов и средств повышения технического уровня элементной базы вакуумных систем и эксплуатационных характеристик промышленного оборудования тонкопленочных технологий
99 000 UZS
Автор
Капустин Евгений Николаевич
Количество страниц
Год
2003
Модифицированные составы и ресурсосберегающие процессы получения Mn-Zn-ферритов для высокочастотных силовых трансформаторов
Модифицированные составы и ресурсосберегающие процессы получения Mn-Zn-ферритов для высокочастотных силовых трансформаторов
99 000 UZS
Автор
Подгорная Светлана Владимировна
Количество страниц
Год
2004
Физико-технологические основы пленочных термоэлектрических преобразователей измерительного назначения
Физико-технологические основы пленочных термоэлектрических преобразователей измерительного назначения
99 000 UZS
Автор
Каримбеков Мырзамамат Арзиевич
Количество страниц
Год
2003
Разработка и применение методов моделирования в технологиях выращивания монокристаллов из расплава
Разработка и применение методов моделирования в технологиях выращивания монокристаллов из расплава
99 000 UZS
Автор
Простомолотов Анатолий Иванович
Количество страниц
Год
2004
Исследование эксплуатационных характеристик теплообменных систем оборудования полупроводникового производства
Исследование эксплуатационных характеристик теплообменных систем оборудования полупроводникового производства
99 000 UZS
Автор
Самойликов Роман Вячеславович
Количество страниц
Год
2004
Механизмы переноса носителей заряда в солнечных батареях на основе a-Si:H и его сплавов И c-Si
Механизмы переноса носителей заряда в солнечных батареях на основе a-Si:H и его сплавов И c-Si
99 000 UZS
Автор
Сизов Алексей Владимирович
Количество страниц
Год
2004
Исследование кристаллогенезиса полупроводников A^III B^V из висмутсодержащих расплавов (На примере InSbBi, AlInSbBi)
Исследование кристаллогенезиса полупроводников A^III B^V из висмутсодержащих расплавов (На примере InSbBi, AlInSbBi)
99 000 UZS
Автор
Баранник Алексей Анатольевич
Количество страниц
Год
2003
Формирование упорядоченных упаковок наносфер SiO_2 и применение структур на их основе в функциональной электронике
Формирование упорядоченных упаковок наносфер SiO_2 и применение структур на их основе в функциональной электронике
99 000 UZS
Автор
Гурьянов Андрей Валерьевич
Количество страниц
Год
2003
Исследование и разработка материалов пленочных сорбентов и структур интегральных сорбционно-емкостных сенсоров для измерения влажности технологических газов микроэлектроники
Исследование и разработка материалов пленочных сорбентов и структур интегральных сорбционно-емкостных сенсоров для измерения влажности технологических газов микроэлектроники
99 000 UZS
Автор
Копейкин Андрей Николаевич
Количество страниц
Год
2003
Моделирование технологически значимых процессов, определяющих термомиграцию жидких включений в полупроводниковых кристаллах
Моделирование технологически значимых процессов, определяющих термомиграцию жидких включений в полупроводниковых кристаллах
99 000 UZS
Автор
Малибашев Александр Владимирович
Количество страниц
Год
2003
Выращивание квазиоднородных слоев AlxGa1-xAs жидкофазной эпитаксией с подпиткой кристаллическим источником
Выращивание квазиоднородных слоев AlxGa1-xAs жидкофазной эпитаксией с подпиткой кристаллическим источником
99 000 UZS
Автор
Патаридзе Зураб Гивиевич
Количество страниц
Год
2003
Слоистые структуры на основе бактериородопсина: получение, строение и применение для элементов устройств обработки информации
Слоистые структуры на основе бактериородопсина: получение, строение и применение для элементов устройств обработки информации
99 000 UZS
Автор
Адамов Григорий Евгеньевич
Количество страниц
Год
2004
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3