Твердотельная электроника

Твердотельная электроника - 67-989-0
Разработка СБИС квантового пиксельного координатного детектора радиационных частиц на основе функционально-интегрированных биполярных структур
Разработка СБИС квантового пиксельного координатного детектора радиационных частиц на основе функционально-интегрированных биполярных структур
99 000 UZS
Автор
Леготин, Сергей Александрович
Количество страниц
Год
2011
Разработка технологических основ создания наноструктурированных пленок оксидов ванадия методом импульсного лазерного осаждения и приборов на их основе
Разработка технологических основ создания наноструктурированных пленок оксидов ванадия методом импульсного лазерного осаждения и приборов на их основе
99 000 UZS
Автор
Михайличенко, Александр Валерьевич
Количество страниц
Год
2011
Нанотубулярные формы бора : особенности электронно-энергетического строения и проводящих свойств
Нанотубулярные формы бора : особенности электронно-энергетического строения и проводящих свойств
99 000 UZS
Автор
Перевалова, Евгения Викторовна
Количество страниц
Год
2012
Высокоскоростные операционные усилители с токовой обратной связью и высоким уровнем динамической точности
Высокоскоростные операционные усилители с токовой обратной связью и высоким уровнем динамической точности
99 000 UZS
Автор
Савченко, Евгений Матвеевич
Количество страниц
Год
2011
Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных СВЧ LDMOS транзисторов
Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных СВЧ LDMOS транзисторов
99 000 UZS
Автор
Ткачев, Александр Юрьевич
Количество страниц
Год
2011
Особенности образования наноостровков в многослойных SiGe гетероструктурах и метод селективного легирования SiGe структур сегрегирующими примесями
Особенности образования наноостровков в многослойных SiGe гетероструктурах и метод селективного легирования SiGe структур сегрегирующими примесями
99 000 UZS
Автор
Юрасов, Дмитрий Владимирович
Количество страниц
Год
2012
Синтез и модификация свойств светоизлучающих кремниевых и кремний-углеродных нанокластеров в оксидных слоях с применением ионной имплантации
Синтез и модификация свойств светоизлучающих кремниевых и кремний-углеродных нанокластеров в оксидных слоях с применением ионной имплантации
99 000 UZS
Автор
Белов, Алексей Иванович
Количество страниц
Год
2011
Разработка методов построения и моделирования интегральных систем оптической коммутации многоядерных УБИС
Разработка методов построения и моделирования интегральных систем оптической коммутации многоядерных УБИС
99 000 UZS
Автор
Денисенко, Марк Анатольевич
Количество страниц
Год
2011
Перенос электронов в транзисторных структурах в сильных резконеоднородных электрических полях при воздействии потока квантов высоких энергий
Перенос электронов в транзисторных структурах в сильных резконеоднородных электрических полях при воздействии потока квантов высоких энергий
99 000 UZS
Автор
Киселев Владимир Константинович
Количество страниц
Год
2011
Разработка диэлектрических покрытий для повышения функциональных и эксплуатационных характеристик полупроводниковых приборов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
Разработка диэлектрических покрытий для повышения функциональных и эксплуатационных характеристик полупроводниковых приборов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
99 000 UZS
Автор
Козырев, Антон Андреевич
Количество страниц
Год
2011
Электронный транспорт в составных квантовых ямах InAlAs/InGaAs/InAlAs, содержащих наноразмерные вставки InAs
Электронный транспорт в составных квантовых ямах InAlAs/InGaAs/InAlAs, содержащих наноразмерные вставки InAs
99 000 UZS
Автор
Пономарев, Дмитрий Сергеевич
Количество страниц
Год
2012
Разработка и исследование технологических основ создания пленок полимерных нанокомпозитов с углеродными наноструктурами для устройств микроэлектронной сенсорики
Разработка и исследование технологических основ создания пленок полимерных нанокомпозитов с углеродными наноструктурами для устройств микроэлектронной сенсорики
99 000 UZS
Автор
Сюрик, Юлия Витальевна
Количество страниц
Год
2012
Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоаморфных РНЕМТ структур с односторонним и двухсторонним дельта-легированием
Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоаморфных РНЕМТ структур с односторонним и двухсторонним дельта-легированием
99 000 UZS
Автор
Климова Евгения Александровича
Количество страниц
Год
2012
Плазменные процессы формирования высокоаспектных структур для микро- и наномеханических устройств
Плазменные процессы формирования высокоаспектных структур для микро- и наномеханических устройств
99 000 UZS
Автор
Амиров, Ильдар Искандерович
Количество страниц
Год
2010
Моделирование и схемотехника СВЧ-транзисторного генератора с невзаимным элементом в цепи обратной связи
Моделирование и схемотехника СВЧ-транзисторного генератора с невзаимным элементом в цепи обратной связи
99 000 UZS
Автор
Беляев Илья Викторович
Количество страниц
Год
2010
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3