Твердотельная электроника

Твердотельная электроника - 67-989-0
Экспериментальное моделирование дозовых ионизационных эффектов в аналоговых изделиях биполярной, БиКМОП- и КМОП-технологии в условиях длительного низкоинтенсивного облучения
Экспериментальное моделирование дозовых ионизационных эффектов в аналоговых изделиях биполярной, БиКМОП- и КМОП-технологии в условиях длительного низкоинтенсивного облучения
99 000 UZS
Автор
Петров Александр Сергеевич
Количество страниц
Год
2022
Нелинейные магнитоэлектрические эффекты в композитных мультиферроидных структурах ферромагнетик-пьезоэлектрик
Нелинейные магнитоэлектрические эффекты в композитных мультиферроидных структурах ферромагнетик-пьезоэлектрик
99 000 UZS
Автор
Фетисов Леонид Юрьевич
Количество страниц
Год
2019
Влияние процесса структурной релаксации в HEMT на основе нитрид-галлиевых гетероструктур на их частотные характеристики
Влияние процесса структурной релаксации в HEMT на основе нитрид-галлиевых гетероструктур на их частотные характеристики
99 000 UZS
Автор
Рубан Олег Альбертович
Количество страниц
Год
2018
Усилительный каскад на мощном многокристальном широкополосном LDMOS транзисторе s-диапазона частот
Усилительный каскад на мощном многокристальном широкополосном LDMOS транзисторе s-диапазона частот
99 000 UZS
Автор
Романовский Станислав Михайлович
Количество страниц
Год
2018
Исследование и разработка системы характеризации процессов формирования наноразмерных элементов интегральных схем
Исследование и разработка системы характеризации процессов формирования наноразмерных элементов интегральных схем
99 000 UZS
Автор
Волоховский Александр Дмитриевич
Количество страниц
Год
2018
Электро-, термо- и фотоактивирующие процессы при прогнозировании и обеспечении требуемых энергочастотных и деградационных параметров светоизлучающих и СВЧ-генерирующих гетероструктур на основе твердых растворов (AlGaIn)N
Электро-, термо- и фотоактивирующие процессы при прогнозировании и обеспечении требуемых энергочастотных и деградационных параметров светоизлучающих и СВЧ-генерирующих гетероструктур на основе твердых растворов (AlGaIn)N
99 000 UZS
Автор
Евсеенков Антон Сергеевич
Количество страниц
Год
2018
Фундаментальные основы технологии фемтосекундной лазерной кристаллизации сегнетоэлектрических микроструктур для устройств микро- и оптоэлектроники и их нелинейно-оптическая диагностика
Фундаментальные основы технологии фемтосекундной лазерной кристаллизации сегнетоэлектрических микроструктур для устройств микро- и оптоэлектроники и их нелинейно-оптическая диагностика
99 000 UZS
Автор
Елшин Андрей Сергеевич
Количество страниц
Год
2018
Механизмы формирования, оптические и электронные транспортные свойства ансамблей квантовых колец GaAs/AlGaAs
Механизмы формирования, оптические и электронные транспортные свойства ансамблей квантовых колец GaAs/AlGaAs
99 000 UZS
Автор
Сибирмовский Юрий Дмитриевич
Количество страниц
Год
2018
Разработка модели искусственного нейрона с динамической функцией активации на базе мемристивных компонентов
Разработка модели искусственного нейрона с динамической функцией активации на базе мемристивных компонентов
99 000 UZS
Автор
Теплов Георгий Сергеевич
Количество страниц
Год
2018
Фотоотклик и стимулированное излучение в структурах на основе соединений HgCdTe в среднем и дальнем ИК диапазонах
Фотоотклик и стимулированное излучение в структурах на основе соединений HgCdTe в среднем и дальнем ИК диапазонах
99 000 UZS
Автор
Кадыков Александр Михайлович
Количество страниц
Год
2018
Физико-химические особенности ионного синтеза систем с нанокристаллами GaN в матрицах Si, Si3N4 и SiO2 для применения в оптоэлектронике
Физико-химические особенности ионного синтеза систем с нанокристаллами GaN в матрицах Si, Si3N4 и SiO2 для применения в оптоэлектронике
99 000 UZS
Автор
Суродин Сергей Иванович
Количество страниц
Год
2018
Разработка методики проектирования интегральных микромеханических сенсоров линейных ускорений с тремя осями чувствительности
Разработка методики проектирования интегральных микромеханических сенсоров линейных ускорений с тремя осями чувствительности
99 000 UZS
Автор
Ежова Ольга Александровна
Количество страниц
Год
2018
Частотные и шумовые параметры наногетероструктурных полевых транзисторов на основе AlGaN/GaN с разной толщиной барьерного слоя
Частотные и шумовые параметры наногетероструктурных полевых транзисторов на основе AlGaN/GaN с разной толщиной барьерного слоя
99 000 UZS
Автор
Михайлович Сергей Викторович
Количество страниц
Год
2016
Разработка технологических основ формирования гибких электродов суперконденсаторов на основе полианилина, модифицированного соединениями кремния и циркония
Разработка технологических основ формирования гибких электродов суперконденсаторов на основе полианилина, модифицированного соединениями кремния и циркония
99 000 UZS
Автор
Моисеева Татьяна Анатольевна
Количество страниц
Год
2016
Развитие многоуровневых моделей магнитной динамики однодоменных частиц для описания кривых намагничивания и мёссбауэровских спектров магнитных наноматериалов
Развитие многоуровневых моделей магнитной динамики однодоменных частиц для описания кривых намагничивания и мёссбауэровских спектров магнитных наноматериалов
99 000 UZS
Автор
Мищенко Илья Никитич
Количество страниц
Год
2016
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3