Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Перенос заряда по локализованным состояниям в наноструктурах на основе кремния
Перенос заряда по локализованным состояниям в наноструктурах на основе кремния
99 000 UZS
Автор
Степина Наталья Петровна
Количество страниц
Год
2017
Терагерцевый отклик олигонуклеотидов на поверхности кремниевых наносандвич-структур
Терагерцевый отклик олигонуклеотидов на поверхности кремниевых наносандвич-структур
99 000 UZS
Автор
Чернев Андрей Леонидович
Количество страниц
Год
2017
Электронная спиновая динамика и корреляционные эффекты в полупроводниковых наносистемах
Электронная спиновая динамика и корреляционные эффекты в полупроводниковых наносистемах
99 000 UZS
Автор
Пошакинский Александр Валерьевич
Количество страниц
Год
2017
Полупроводящий тройной сополимер метилметакрилата, бутилметакрилата и метакриловой кислоты, модифицированный углеродными нанотрубками: строение и свойства
Полупроводящий тройной сополимер метилметакрилата, бутилметакрилата и метакриловой кислоты, модифицированный углеродными нанотрубками: строение и свойства
99 000 UZS
Автор
Элбакян Лусине Самвеловна
Количество страниц
Год
2017
Особенности распространения и преобразования электромагнитных волн в полупроводниковых наноструктурах с оптическими неоднородностями
Особенности распространения и преобразования электромагнитных волн в полупроводниковых наноструктурах с оптическими неоднородностями
99 000 UZS
Автор
Савченко Григорий Михайлович
Количество страниц
Год
2017
Процессы самосборки массивов и энергетический спектр нанокристаллов CdS, синтезированных в матрице Ленгмюра-Блоджетт
Процессы самосборки массивов и энергетический спектр нанокристаллов CdS, синтезированных в матрице Ленгмюра-Блоджетт
99 000 UZS
Автор
Свит Кирилл Аркадьевич
Количество страниц
Год
2017
Исследование эффектов переключения и памяти в тонкопленочных структурах Me/MeOx/Me на основе полупроводниковых оксидов
Исследование эффектов переключения и памяти в тонкопленочных структурах Me/MeOx/Me на основе полупроводниковых оксидов
99 000 UZS
Автор
Алексеева Людмила Геннадьевна
Количество страниц
Год
Оптоэлектронные свойства бирефрактивных кристаллов А2В5 и приборов на их основе
Оптоэлектронные свойства бирефрактивных кристаллов А2В5 и приборов на их основе
99 000 UZS
Автор
Стамов Иван Григорьевич
Количество страниц
Год
2017
Спин-зависимые явления и циркулярно-поляризованная люминесценция в гибридных структурах ферромагнетик/полупроводник А3В5
Спин-зависимые явления и циркулярно-поляризованная люминесценция в гибридных структурах ферромагнетик/полупроводник А3В5
99 000 UZS
Автор
Дорохин Михаил Владимирович
Количество страниц
Год
2016
Исследование оптических свойств наноструктур полупроводник-металл в присутствии плазмонного резонанса
Исследование оптических свойств наноструктур полупроводник-металл в присутствии плазмонного резонанса
99 000 UZS
Автор
Ерюков Николай Александрович
Количество страниц
Год
2016
Многокомпонентные оксидные наноматериалы с фрактальной структурой для чувствительных элементов адсорбционных сенсоров
Многокомпонентные оксидные наноматериалы с фрактальной структурой для чувствительных элементов адсорбционных сенсоров
99 000 UZS
Автор
Карманов Андрей Андреевич
Количество страниц
Год
2016
Исследования и разработка технологии изготовления гетероструктур на основе антимонида галлия методом ГФЭМОС
Исследования и разработка технологии изготовления гетероструктур на основе антимонида галлия методом ГФЭМОС
99 000 UZS
Автор
Левин Роман Викторович
Количество страниц
Год
2016
Динамические характеристики полупроводниковых лазеров на основе квантовых точек
Динамические характеристики полупроводниковых лазеров на основе квантовых точек
99 000 UZS
Автор
Колыхалова Екатерина Дмитриевна
Количество страниц
Год
2016
Кинетика формирования наногетероструктур с квантовыми точками германия на кремнии для приборов оптоэлектроники
Кинетика формирования наногетероструктур с квантовыми точками германия на кремнии для приборов оптоэлектроники
99 000 UZS
Автор
Лозовой Кирилл Александрович
Количество страниц
Год
2016
Методы управления фотоэлектрическими параметрами фоторезисторов на основе PbS для импульсных оптикоэлектронных систем
Методы управления фотоэлектрическими параметрами фоторезисторов на основе PbS для импульсных оптикоэлектронных систем
99 000 UZS
Автор
Мирошников Борис Николаевич
Количество страниц
Год
2016
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3