Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
МДП-структуры на основе антимонида индия в сильном электрическом поле
МДП-структуры на основе антимонида индия в сильном электрическом поле
99 000 UZS
Автор
Вайнер Борис Григорьевич
Количество страниц
Год
Влияние флуктуаций состава на электронные свойства твердых растворов полупроводников
Влияние флуктуаций состава на электронные свойства твердых растворов полупроводников
99 000 UZS
Автор
Аблязов Нурлан Насирович
Количество страниц
Год
Перенос заряда в аморфных диэлектрических слоях структур металл-диэлектрик-полупроводник в сильных электрических полях
Перенос заряда в аморфных диэлектрических слоях структур металл-диэлектрик-полупроводник в сильных электрических полях
99 000 UZS
Автор
Агафонов Александр Иванович
Количество страниц
Год
Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках
Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках
99 000 UZS
Автор
Воробьев Юрий Васильевич
Количество страниц
Год
Динамические процессы в полупроводниках с мелкими донорами в условиях примесного пробоя
Динамические процессы в полупроводниках с мелкими донорами в условиях примесного пробоя
99 000 UZS
Автор
Воронин Игорь Николаевич
Количество страниц
Год
Исследование механизмов рекомбинации в CdxHg1-xTe
Исследование механизмов рекомбинации в CdxHg1-xTe
99 000 UZS
Автор
Баженов Николай Леонидович
Количество страниц
Год
Жидкостная эпитаксия изопериодных Ga Al Sb As/Ga Sb фотодиодных структур
Жидкостная эпитаксия изопериодных Ga Al Sb As/Ga Sb фотодиодных структур
99 000 UZS
Автор
Баранов Алексей Николаевич
Количество страниц
Год
Получение и исследование гетероструктур и приборов на основе твердых растворов InGaAsP
Получение и исследование гетероструктур и приборов на основе твердых растворов InGaAsP
99 000 UZS
Автор
Ахмедов Давронали
Количество страниц
Год
Концентрационные эффекты в многодолинных полупроводниках и их влияние на винтовую неустойчивость
Концентрационные эффекты в многодолинных полупроводниках и их влияние на винтовую неустойчивость
99 000 UZS
Автор
Буянов Алексей Вадимович
Количество страниц
Год
Полупроводниковые перестраиваемые лазеры среднего и дальнего ИК диапазона
Полупроводниковые перестраиваемые лазеры среднего и дальнего ИК диапазона
99 000 UZS
Автор
Бритов Александр Дмитриевич
Количество страниц
Год
Электрофизические, оптические и люминесцентные свойства метастабильных твердых растворов (Ge2)x(GaAs)1-x и гетеропереходы на их основе
Электрофизические, оптические и люминесцентные свойства метастабильных твердых растворов (Ge2)x(GaAs)1-x и гетеропереходы на их основе
99 000 UZS
Автор
Вартанян Роберт Серобович
Количество страниц
Год
Теория электропроводности неупорядоченных поликристаллических полупроводников с межгранульными барьерами
Теория электропроводности неупорядоченных поликристаллических полупроводников с межгранульными барьерами
99 000 UZS
Автор
Винников Александр Яковлевич
Количество страниц
Год
Дихроизм и двулучепереломление растворов красителей, наведенные пикосекундными световыми импульсами, и их использование
Дихроизм и двулучепереломление растворов красителей, наведенные пикосекундными световыми импульсами, и их использование
99 000 UZS
Автор
Васильева Марта Алексеевна
Количество страниц
Год
Электрические , фотоэлектрические и оптические свойства двухфазных пленок гидрогенизированного кремния
Электрические , фотоэлектрические и оптические свойства двухфазных пленок гидрогенизированного кремния
99 000 UZS
Автор
Хенкин Марк Вадимович
Количество страниц
Год
2015
Получение и исследование наноструктурированных поликристаллических слоев и систем с квантовыми точками на основе халькогенидов свинца
Получение и исследование наноструктурированных поликристаллических слоев и систем с квантовыми точками на основе халькогенидов свинца
99 000 UZS
Автор
Мараева Евгения Владимировна
Количество страниц
Год
2014
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3