Твердотельная электроника

Твердотельная электроника - 67-989-0
Конструктивно-технологические аспекты создания кремниевых цветных фотоячеек с глубинным цветоделением на изотипных P+-P переходах
Конструктивно-технологические аспекты создания кремниевых цветных фотоячеек с глубинным цветоделением на изотипных P+-P переходах
99 000 UZS
Автор
Горшкова Наталья Михайловна
Количество страниц
Год
2008
Генерация и детектирование терагерцового излучения в полупроводниковых наноструктурах A3B5
Генерация и детектирование терагерцового излучения в полупроводниковых наноструктурах A3B5
99 000 UZS
Автор
Маремьянин Кирилл Владимирович
Количество страниц
Год
2007
Оптимизация теплонапряженной конструкции функционального узла
Оптимизация теплонапряженной конструкции функционального узла
99 000 UZS
Автор
Коротков Алексей Александрович
Количество страниц
Год
2023
Особенности взаимодействия электромагнитного излучения СВЧ-диапазона со слоистыми структурами типа нанометровая металлическая плёнка-диэлектрик-полупроводник
Особенности взаимодействия электромагнитного излучения СВЧ-диапазона со слоистыми структурами типа нанометровая металлическая плёнка-диэлектрик-полупроводник
99 000 UZS
Автор
Боголюбов Антон Сергеевич
Количество страниц
Год
2006
Получение и исследование свойств наноразмерных пленочных структур на основе аморфного кремния и его соединений
Получение и исследование свойств наноразмерных пленочных структур на основе аморфного кремния и его соединений
99 000 UZS
Автор
Нефедов Денис Владимирович
Количество страниц
Год
2008
Физико-технологические основы повышения эффективности полупроводниковых источников света
Физико-технологические основы повышения эффективности полупроводниковых источников света
99 000 UZS
Автор
Щербаков Валентин Николаевич
Количество страниц
Год
2007
Моделирование методом Монте-Карло физических процессов взаимодействия нерелятивистских электронов с веществом
Моделирование методом Монте-Карло физических процессов взаимодействия нерелятивистских электронов с веществом
99 000 UZS
Автор
Борисов Сергей Сергеевич
Количество страниц
Год
2006
Синтез и свойства металлооксидных пленок на основе ZnO, SnO2 и TiO2 для прозрачных полевых транзисторов
Синтез и свойства металлооксидных пленок на основе ZnO, SnO2 и TiO2 для прозрачных полевых транзисторов
99 000 UZS
Автор
Плотникова Екатерина Юрьевна
Количество страниц
Год
2015
Исследование характеристик рассеяния электронов в твёрдых телах для определения толщин нанопокрытий методами электронной спектроскопии
Исследование характеристик рассеяния электронов в твёрдых телах для определения толщин нанопокрытий методами электронной спектроскопии
99 000 UZS
Автор
Грязев Александр Сергеевич
Количество страниц
Год
2017
Режимы работы диода с накоплением заряда в генераторах импульсных сигналов субнаносекундной длительности
Режимы работы диода с накоплением заряда в генераторах импульсных сигналов субнаносекундной длительности
99 000 UZS
Автор
Жабин Алексей Сергеевич
Количество страниц
Год
2017
Разработка технологических основ создания сенсоров физических величин на основе сегнетоэлектрических пленок цирконататитаната свинца
Разработка технологических основ создания сенсоров физических величин на основе сегнетоэлектрических пленок цирконататитаната свинца
99 000 UZS
Автор
Коваленко Дмитрий Александрович
Количество страниц
Год
2016
Исследование сегнетоэлектрической керамики на основе титаната бария-стронция для применений в сверхвысокочастотных устройствах
Исследование сегнетоэлектрической керамики на основе титаната бария-стронция для применений в сверхвысокочастотных устройствах
99 000 UZS
Автор
Павлова Юлия Валерьевна
Количество страниц
Год
2008
Исследование процессов формирования по золь-гель технологии сенсорных элементов на основе тонких пленок состава SiOx:SnOy
Исследование процессов формирования по золь-гель технологии сенсорных элементов на основе тонких пленок состава SiOx:SnOy
99 000 UZS
Автор
Плуготаренко Нина Константиновна
Количество страниц
Год
2006
Разработка и исследование газового сенсора на основе тонкопленочных материалов состава SiO2 SnOx AgOy
Разработка и исследование газового сенсора на основе тонкопленочных материалов состава SiO2 SnOx AgOy
99 000 UZS
Автор
Назарова Татьяна Николаевна
Количество страниц
Год
2006
Контроль кристаллов интегральных схем на основе статистического моделирования методом точечных распределений
Контроль кристаллов интегральных схем на основе статистического моделирования методом точечных распределений
99 000 UZS
Автор
Столяренко Юлия Александровна
Количество страниц
Год
2006
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3