Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники

Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники - 67-989-0
Получение кристаллов новых сверхпроводящих, сегнетоэлектрических и родственных фаз оксидных систем, изучение их структуры и свойств
Получение кристаллов новых сверхпроводящих, сегнетоэлектрических и родственных фаз оксидных систем, изучение их структуры и свойств
99 000 UZS
Автор
Буш Александр Андреевич
Количество страниц
Год
2006
Материалы и процессы формирования многослойной металлизации кремниевых СБИС
Материалы и процессы формирования многослойной металлизации кремниевых СБИС
99 000 UZS
Автор
Громов, Дмитрий Геннадьевич
Количество страниц
Год
2000
Разработка травильных композиций и технологических процессов формирования полированных поверхностей подкладок арсенида и антимонида индия для устройств ИЧ-техники
Разработка травильных композиций и технологических процессов формирования полированных поверхностей подкладок арсенида и антимонида индия для устройств ИЧ-техники
99 000 UZS
Автор
Даниленко, Светлана Григорьевна
Количество страниц
Год
2000
Разработка и исследование технологических процессов анодного сращивания полупроводниковых структур
Разработка и исследование технологических процессов анодного сращивания полупроводниковых структур
99 000 UZS
Автор
Дьячков, Сергей Александрович
Количество страниц
Год
2000
Разработка технологии пластин полупроводниковых соединений A^III B^V современной точности обработки
Разработка технологии пластин полупроводниковых соединений A^III B^V современной точности обработки
99 000 UZS
Автор
Мальвинова Ольга Валерьевна
Количество страниц
Год
2004
Технологические задачи повышения вибротермопрочности кристаллических сцинтилляционных детекторов
Технологические задачи повышения вибротермопрочности кристаллических сцинтилляционных детекторов
99 000 UZS
Автор
Мельник, Виктор Иванович
Количество страниц
Год
2000
Исследование процессов формирования и защиты поверхности планарных p-n переходов и модернизация базовой технологии изготовления фотодиодов на основе InSb
Исследование процессов формирования и защиты поверхности планарных p-n переходов и модернизация базовой технологии изготовления фотодиодов на основе InSb
99 000 UZS
Автор
Талимов Алексей Владимирович
Количество страниц
Год
2001
Управление ростом кристаллов арсенидов галлия и индия путем низкоэнергетических воздействий
Управление ростом кристаллов арсенидов галлия и индия путем низкоэнергетических воздействий
99 000 UZS
Автор
Косушкин, Виктор Григорьевич
Количество страниц
Год
2000
Технология, фазовый состав, тонкая структура и свойства фотоситаллов и алюмооксидной керамики
Технология, фазовый состав, тонкая структура и свойства фотоситаллов и алюмооксидной керамики
99 000 UZS
Автор
Красников Анатолий Сергеевич
Количество страниц
Год
2002
Обоснование и разработка прецизионного способа двухстороннего шлифования свободным абразивом пластин кремния большого диаметра
Обоснование и разработка прецизионного способа двухстороннего шлифования свободным абразивом пластин кремния большого диаметра
99 000 UZS
Автор
Яковлев Сергей Петрович
Количество страниц
Год
2001
Моделирование диффузионных процессов изотермической жидкофазной эпитаксии полупроводников
Моделирование диффузионных процессов изотермической жидкофазной эпитаксии полупроводников
99 000 UZS
Автор
Савченко, Владислав Анатольевич
Количество страниц
Год
2000
Моделирование кинетики испарения летучего компонента из конденсированной фазы
Моделирование кинетики испарения летучего компонента из конденсированной фазы
99 000 UZS
Автор
Емельянов, Владимир Васильевич
Количество страниц
Год
2000
Исследование и разработка методов защиты поверхности кремниевых фотодиодов с применением ионной имплантации
Исследование и разработка методов защиты поверхности кремниевых фотодиодов с применением ионной имплантации
99 000 UZS
Автор
Сорокин Константин Викторович
Количество страниц
Год
2000
Получение высокоэффективных солнечных элементов на базе многослойных гетероструктур Al x Ga1-x As/GaAs/Ge/Si x Ge1-x /Si
Получение высокоэффективных солнечных элементов на базе многослойных гетероструктур Al x Ga1-x As/GaAs/Ge/Si x Ge1-x /Si
99 000 UZS
Автор
Смолин, Александр Юрьевич
Количество страниц
Год
2000
Разработка технологии производства кремниевых эпитаксиальных структур для силовых приборов
Разработка технологии производства кремниевых эпитаксиальных структур для силовых приборов
99 000 UZS
Автор
Харламов, Роман Валентинович
Количество страниц
Год
2000
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3