Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Глубокоохлаждаемые фотоприемники на основе антимонида индия
Глубокоохлаждаемые фотоприемники на основе антимонида индия
99 000 UZS
Автор
Мирошникова, Ирина Николаевна
Количество страниц
Год
2005
Свойства пленок оксидов редкоземельных элементов и кремниевых МДП-структур на их основе
Свойства пленок оксидов редкоземельных элементов и кремниевых МДП-структур на их основе
99 000 UZS
Автор
Родионов Максим Александрович
Количество страниц
Год
2005
Влияние субмонослойных металлических пленок на работу выхода полупроводниковых материалов
Влияние субмонослойных металлических пленок на работу выхода полупроводниковых материалов
99 000 UZS
Автор
Павлык Александр Владимирович
Количество страниц
Год
2005
Моделирование гетероперехода и сверхрешетки на основе ферромагнитного полупроводника EuS и парамагнитного полупроводника SmS
Моделирование гетероперехода и сверхрешетки на основе ферромагнитного полупроводника EuS и парамагнитного полупроводника SmS
99 000 UZS
Автор
Парамонов Андрей Викторович
Количество страниц
Год
2005
Особенности спин-орбитального взаимодействия в сложных гетероструктурах
Особенности спин-орбитального взаимодействия в сложных гетероструктурах
99 000 UZS
Автор
Романов Константин Сергеевич
Количество страниц
Год
2005
Формирование многослойных гетерофазных структур в имплантированном ионами кремнии
Формирование многослойных гетерофазных структур в имплантированном ионами кремнии
99 000 UZS
Автор
Попов Владимир Павлович
Количество страниц
Год
2005
Расчет энергетических характеристик гетероструктур и барьеров Шоттки, сформированных на политипах карбида кремния
Расчет энергетических характеристик гетероструктур и барьеров Шоттки, сформированных на политипах карбида кремния
99 000 UZS
Автор
Посредник Олеся Валерьевна
Количество страниц
Год
2005
Нанооболочки и прецизионные наносистемы на основе напряженных гетероструктур
Нанооболочки и прецизионные наносистемы на основе напряженных гетероструктур
99 000 UZS
Автор
Принц Виктор Яковлевич
Количество страниц
Год
2005
Исследование неравновесных электронных процессов в германии с примесями халькогенов
Исследование неравновесных электронных процессов в германии с примесями халькогенов
99 000 UZS
Автор
Радчук Наталия Борисовна
Количество страниц
Год
2005
Неравновесная проводимость полупроводников и структур металл - полупроводник - металл
Неравновесная проводимость полупроводников и структур металл - полупроводник - металл
99 000 UZS
Автор
Ромашин Сергей Николаевич
Количество страниц
Год
2005
Фотоплеохроизм алмазоподобных полупроводников и поляриметрические структуры на их основе
Фотоплеохроизм алмазоподобных полупроводников и поляриметрические структуры на их основе
99 000 UZS
Автор
Рудь Василий Юрьевич
Количество страниц
Год
2005
Эмиссия электронов с поверхности полупроводников, стимулированная электрическим полем и гетерогенной химической реакцией
Эмиссия электронов с поверхности полупроводников, стимулированная электрическим полем и гетерогенной химической реакцией
99 000 UZS
Автор
Седов Александр Викторович
Количество страниц
Год
2005
Массоперенос в полупроводниковых материалах с участием жидкой фазы
Массоперенос в полупроводниковых материалах с участием жидкой фазы
99 000 UZS
Автор
Саланов Андрей Александрович
Количество страниц
Год
2005
Дефектообразование в кремнии при облучении альфа-частицами с энергией 5,4 МэВ
Дефектообразование в кремнии при облучении альфа-частицами с энергией 5,4 МэВ
99 000 UZS
Автор
Скаляух Ольга Вячеславовна
Количество страниц
Год
2005
Молекулярно-пучковая эпитаксия и оптимизация метаморфных гетероструктур In_x Al_y Ga_1-x-y As/GaAs для применений в приборах микро- и оптоэлектроники
Молекулярно-пучковая эпитаксия и оптимизация метаморфных гетероструктур In_x Al_y Ga_1-x-y As/GaAs для применений в приборах микро- и оптоэлектроники
99 000 UZS
Автор
Семенова Елизавета Сергеевна
Количество страниц
Год
2005
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3