Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Полупроводниковые микроструктуры на основе соединений AIIIBV, полученные методом реактивного ионного травления
Полупроводниковые микроструктуры на основе соединений AIIIBV, полученные методом реактивного ионного травления
99 000 UZS
Автор
Аракчеева Екатерина Михайловна
Количество страниц
Год
2008
Стимулированная рекомбинация в полупроводниковых лазерах ближнего ИК-диапазона при высоких уровнях токовой накачки
Стимулированная рекомбинация в полупроводниковых лазерах ближнего ИК-диапазона при высоких уровнях токовой накачки
99 000 UZS
Автор
Борщёв Кирилл Станиславович
Количество страниц
Год
2007
Механизмы переноса заряда в приёмниках рентгеновского излучения на основе кремния
Механизмы переноса заряда в приёмниках рентгеновского излучения на основе кремния
99 000 UZS
Автор
Басаев Александр Сергеевич
Количество страниц
Год
2007
Влияние внутренних электрических и упругих полей моно-, микро- и нанокристаллов на характеристические параметры глубоких центров в халькогенидах цинка
Влияние внутренних электрических и упругих полей моно-, микро- и нанокристаллов на характеристические параметры глубоких центров в халькогенидах цинка
99 000 UZS
Автор
Зобов Марат Евгеньевич
Количество страниц
Год
2008
Туннельная спектроскопия двумерной электронной системы приповерхностного дельта-легированного слоя в GaAs
Туннельная спектроскопия двумерной электронной системы приповерхностного дельта-легированного слоя в GaAs
99 000 UZS
Автор
Котельников Игорь Николаевич
Количество страниц
Год
2008
Моделирование процессов термического отжига и высокотемпературной карбонизации пористого кремния
Моделирование процессов термического отжига и высокотемпературной карбонизации пористого кремния
99 000 UZS
Автор
Золотов Андрей Викторович
Количество страниц
Год
2007
Исследование влияния локализованных состояний на распределение пространственного заряда в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников
Исследование влияния локализованных состояний на распределение пространственного заряда в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников
99 000 UZS
Автор
Мишустин Владислав Геннадьевич
Количество страниц
Год
2008
Фотоэлектронные процессы в наноструктурированном кремнии со спиновыми центрами
Фотоэлектронные процессы в наноструктурированном кремнии со спиновыми центрами
99 000 UZS
Автор
Константинова Елизавета Александровна
Количество страниц
Год
2007
Люминесцентные свойства слоев кремния, наноструктурированных путем облучения ионами электрически неактивных элементов
Люминесцентные свойства слоев кремния, наноструктурированных путем облучения ионами электрически неактивных элементов
99 000 UZS
Автор
Менделева Юлия Алексеевна
Количество страниц
Год
2007
Особенности микродефектов в нестехиометрических монокристаллах GaAs и GaP, выявляемые рентгеноструктурными методами
Особенности микродефектов в нестехиометрических монокристаллах GaAs и GaP, выявляемые рентгеноструктурными методами
99 000 UZS
Автор
Филатов Павел Александрович
Количество страниц
Год
2008
Трехканальный детектор на основе РОС гетеролазеров InGaAs для мониторинга
Трехканальный детектор на основе РОС гетеролазеров InGaAs для мониторинга
99 000 UZS
Автор
Наместников Дмитрий Юрьевич
Количество страниц
Год
2007
Анализ фотоприемных монокристаллических и поликристаллических слоев на основе халькогенидов свинца методами атомно-силовой микроскопии
Анализ фотоприемных монокристаллических и поликристаллических слоев на основе халькогенидов свинца методами атомно-силовой микроскопии
99 000 UZS
Автор
Спивак Юлия Михайловна
Количество страниц
Год
2022
Влияние спонтанной поляризации на энергетические характеристики гетероструктур на основе политипов карбида кремния
Влияние спонтанной поляризации на энергетические характеристики гетероструктур на основе политипов карбида кремния
99 000 UZS
Автор
Трошин Алексей Валерьевич
Количество страниц
Год
2007
Эмиссия горячих электронов через межфазные границы металл-полупроводник и полупроводник-газ
Эмиссия горячих электронов через межфазные границы металл-полупроводник и полупроводник-газ
99 000 UZS
Автор
Хорошилова Маргарита Вячеславовна
Количество страниц
Год
2007
Определение энергетических и динамических характеристик гетероструктур с квантовыми точками методами емкостной спектроскопии
Определение энергетических и динамических характеристик гетероструктур с квантовыми точками методами емкостной спектроскопии
99 000 UZS
Автор
Шулгунова Ирина Сергеевна
Количество страниц
Год
2007
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3